国家自然科学基金(60576007)
- 作品数：11 被引量：15H指数：3
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- 相关机构：电子科技大学专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
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- GaN基热氧化物的XPS和椭偏光谱研究被引量：1
- 2009年
- 采用X射线光谱仪(XPS)和椭偏测试仪(SE)对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分、厚度、光学常数等物理特性进行了研究。当氧化温度为900℃、氧化时间为15～240min时,XPS测试结果表明,所得氧化物类型为Ga2O3,且由于大量O空位的存在,其表面Ga/O比率约为1.2。SE测试结果表明,GaN线性氧化速率约为40nm/h,呈抛物线生长,最终平均氧化速率约为25nm/h。在300～800nm测试范围内,Ga2O3折射率为1.9～2.2,与文献测试结果相符。但在300～400nm测试范围内存在反常色散现象,这与GaN在此波段的强吸收有关。
- 杜江锋赵金霞于奇杨谟华
- 关键词：GAN热氧化GA2O3XPSSE
- 线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型被引量：7
- 2011年
- 通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率a和截距EF0。计算结果表明,所述模型的线性EF-ns计算结果对非线性精确解近似效果较好,且基于该模型计算的ns-VG曲线与实验数据符合良好。
- 卢盛辉杜江锋周伟夏建新
- 关键词：费米能级二维电子气
- 基于梳齿间距偏差的微加速度计灵敏度模型
- 2011年
- 针对电容式微加速度计梳齿间距偏差所引起的灵敏度变化，基于高维数值积分与概率理论，并结合闭环微加速度计工作原理，导出了其灵敏度模型。当梳齿间距偏差分布在3．7～4．6μm区间，施加在固定电极上有效电压分别为2．3V、5．1V和8．3V时，其对应的灵敏度将处于120～195、55～85和32～51mV／g。范围。在相同条件下，对一批体硅玻璃键合结构的微加速度计进行了实验测量，其灵敏度分别落在119．3—179．9、53．8～81．1和33．0～49．8mV／g。区间。由此可见，该模型与实测值比较接近。模型指出了灵敏度与梳齿间距偏差的相互关系，从而可为微加速度计设计和工艺优化提供参考。
- 戴强于奇钱可强周伟
- 关键词：计量学微加速度计
- AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究
- 2007年
- 通过对AlGaN/GaN HEMT漏极电流栅阶跃脉冲响应实验测试,发现栅脉冲相同时,HEMT开启时间在线性区随VDS增加而增加,而在饱和区随VDS增加而减小;在VDS一定时,器件开启时间随栅脉冲低电平的降低而增加。基于表面态电子释放过程与ID、VDS和阶跃脉冲之间关系的分析,提出了用快电子与慢电子释放两种过程来解释表面态电子弛豫,并建立漏极电流响应过程拟合算式。拟合得到与快、慢电子释放相关的时间常数分别为τ1=0.23s、τ2=1.38s,且拟合曲线与实验结果的最大误差不超过测试值的3%。该研究结果有助于电流崩塌机理的进一步探索。
- 卢盛辉杜江锋靳翀周伟杨谟华
- 关键词：高电子迁移率晶体管电流崩塌表面态
- 蓝宝石上GaN基多层膜结构椭偏研究
- 2010年
- 对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响。研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度有关;而在300～400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,InN消光系数亦产生了一个强的吸收峰,这则可能与GaN层在360nm左右存在的一个强吸收(Eg≈3.4eV)有关。
- 杜江锋赵金霞罗谦于奇夏建新杨谟华
- 关键词：GAN椭圆偏振光谱INNGA2O3
- 基于梳齿间距偏差的硅微加速度计冲击与阶跃信号响应模型被引量：3
- 2008年
- 源于概率统计理论,针对梳齿电容的微细加工偏差,给出了当各梳齿间距偏差在一定范围内独立且均匀分布时,单边电容和双边电容驱动的硅微加速度计冲击与阶跃信号响应物理模型.经过有限元仿真和Monte Carlo模拟验证,结果表明理论模型与仿真值之差小于10%.模型指出,当梳齿间距偏差由0变化到20%,加速度计在受到冲击与阶跃加速度信号作用时,其可靠工作范围将比无偏差理想情况下降10%~15%.该模型可望应用于实际有加工偏差的微加速度计可靠工作范围预先评估与设计.
- 戴强于奇饶青周伟杨谟华
- 关键词：微加速度计
- 改进的AlGaN/GaN HEMT小信号参数提取算法被引量：3
- 2012年
- 制作了截止频率ft和最高震荡频率fmax分别为46.2和107.8 GHz的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,并针对该器件建立了包含微分电阻Rfd和Rfs在内的18元件小信号等效电路模型;在传统的冷场条件提取器件寄生参数的基础上,通过对不同栅压偏置下冷场Z参数进行线性插值运算,可消除沟道分布电阻和栅极泄漏电流对寄生电阻的影响;再利用热场S参数对寄生参数部分进行去嵌,可提取得到本征参数。分析表明,此模型和算法提高了模型拟合精度,S参数的仿真结果与测试数据在200MHz到40GHz的频率范围内均符合很好,误差不到2%。
- 徐鹏杜江锋敦少博冯志红罗谦赵子奇于奇
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管小信号建模寄生电阻
- AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究被引量：1
- 2007年
- 通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%。受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端。该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法。
- 严地罗谦卢盛辉靳翀罗大为周伟杨谟华
- 关键词：铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管电场
- 增强型GaN绝缘栅HEMT线性电荷控制解析模型
- 2010年
- 基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界面陷阱密度在1013cm-2数量级;基于该模型的器件转移特性的理论结果与器件的实测转移特性数据比较符合。该模型可望用于器件性能评估和设计优化。
- 卢盛辉杜江锋罗谦于奇周伟夏建新杨谟华
- 基于梳齿间距MEMS工艺误差的微传感器电容与静电力分布模型被引量：1
- 2010年
- 在理论分析与模拟仿真基础上,提出了由于梳齿微细加工误差所引起的电容和静电力概率分布模型。该模型表明电容和静电力均为类高斯分布,它们在一定区段出现的可能性可根据其准期望和准方差确定,且该准期望与无加工误差情况相比均有小于5%的微小偏移;同时,该准方差依赖于梳齿数目和梳齿加工误差程度,当梳齿数目由10增大到60时,电容与静电力分布准方差分别增大约2倍和1倍,而当梳齿加工误差程度从5%增大到20%时,则分别增大约3.5倍和2.5倍。该模型可望为一大类梳齿结构微传感器或执行器性能偏差的理论研究和工艺实现提供参考。
- 戴强于奇束平杨洪东张国俊
- 关键词：微传感器
