北京市自然科学基金(4032012)
- 作品数：5 被引量：21H指数：3
- 相关作者：吴锦雷张琦锋薛增泉张耿民张兆祥更多>>
- 相关机构：北京大学合肥工业大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- ZnO近紫外波长纳米激光器的研究被引量：4
- 2005年
- 随着纳米科技的兴起,纳米激光的研究成为了又一个新的重要课题。ZnO纳米微晶有两种结构可以产生随机激 光,一是六角柱形蜂窝状微晶结构,二是颗粒粉末状结构,产生的近紫外激光波长是387．5nm,光泵浦阈值是50 kW／cm2。采 用气相输运的催化外延晶体生长过程来制备ZnO纳米线阵列构成的光致纳米激光器,激光波长383 nm,线宽仅为0．3 nm,光 泵浦阈值是40 kW／cm2。
- 吴锦雷
- 关键词：激光纳米氧化锌
- 碳纳米管氧化成环制备研究被引量：2
- 2005年
- 采用化学气相沉积方法制备的碳纳米管,用酸溶液进行弱氧化处理,经适当温度在大气中烧灼后碳纳米管发生弯曲,在样品中出现大量的环状结构.利用原子力显微镜、透射电子显微镜和扫描电子显微镜对典型环直径为300nm的碳纳米管环进行了表征.烧灼温度和烧灼时间对环的结构和产率有重要的影响.实验数据统计结果表明,烧灼温度在510—530℃区间内可得到超过40%的碳纳米管环产率,并且烧灼时间延长到120min有利于提高碳纳米管环的产率.在加热情况下,碳纳米管端结合的羧基官能团脱水成酯,导致弯曲的碳纳米管结合成环.
- 张萍李萍剑侯士敏张琦锋吴锦雷
- 关键词：碳纳米管扫描电子显微镜透射电子显微镜原子力显微镜酸溶液官能团
- 热处理对氧化锌纳米线场发射特性的影响被引量：1
- 2004年
- 用场发射显微镜研究了在钨针尖上生长的氧化锌纳米线的场发射性能 ,得到了氧化锌纳米线的场发射像及场发射电流与电压关系 ,并讨论了氧化锌纳米线场发射像的形成原因和不同热处理条件对其场发射性能的影响 。
- 陈贤祥陈贤祥张琦锋郑文丰张兆祥张耿民赵兴钰陈长琦薛增泉
- 关键词：纳米线场发射场发射显微镜宽带隙半导体
- ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性被引量：7
- 2006年
- 运用气相沉积方法分别在硅片表面和钨针尖上制备了非取向生长的ZnO纳米线,并通过场发射显微镜研究了纳米线样品的平面场发射特性和针尖场发射特性.结果显示,非取向生长的ZnO纳米线薄膜场发射的开启电压和阈值电压所对应的场强分别为4.7和7.6V/μm,场增强因子达103量级,具有较阵列生长的ZnO纳米线更为优异的场发射能力.非取向生长ZnO纳米线薄膜场发射能力的增强归因于其所具有的稀疏结构避免了强场作用下屏蔽效应的产生,有效地提高了薄膜场发射的电流密度.将ZnO纳米线组装在钨针尖上能够明显地改善针尖的场发射性能,在超高分辨显微探针领域具有良好应用前景.
- 张琦锋戎懿陈贤祥张耿民张兆祥薛增泉陈长琦吴锦雷
- 关键词：ZNO纳米线气相沉积场发射
- 碳纳米管阵列的气相沉积制备及场发射特性被引量：7
- 2004年
- 运用酞菁铁热解法气相沉积制备了碳纳米管阵列.所得碳纳米管呈多壁结构.单根碳纳米管的平均直径约为25 nm,长度约4～5μm,且具有很好的准直性.研究了碳纳米管阵列的平面场发射特性,相应的开启电压和阈值电压分别为1.28和2.3 V·μm-1,表明碳纳米管具有很强的场发射能力.利用场发射显微镜观察了碳纳米管阵列的场发射像,发现碳纳米管阵列的场发射主要集中在样品薄膜的边缘部位.这是由于碳纳米管密度过大而产生的屏蔽效应所致.
- 张琦锋于洁宋教花张耿民张兆祥薛增泉吴锦雷
- 关键词：碳纳米管阵列气相沉积场发射特性屏蔽效应
