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国家重点基础研究发展计划(G1999033108)

作品数:12 被引量:69H指数:4
相关作者:王向朝阮勇张大成程兆年罗乐更多>>
相关机构:中国科学院上海光学精密机械研究所北京大学中国科学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域:电子电信机械工程理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇多孔硅
  • 3篇MEMS
  • 2篇等离子
  • 2篇电池
  • 2篇电池电极
  • 2篇电极
  • 2篇速度传感器
  • 2篇燃料电池
  • 2篇牺牲层
  • 2篇牺牲层技术
  • 2篇加速度
  • 2篇加速度传感器
  • 2篇键合
  • 2篇封装
  • 2篇感器
  • 2篇MEM
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇选择性
  • 1篇压阻

机构

  • 4篇北京大学
  • 3篇中国科学院上...
  • 2篇清华大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇香港科技大学
  • 1篇沈阳师范大学
  • 1篇中国科学院力...

作者

  • 3篇张大成
  • 3篇王向朝
  • 3篇阮勇
  • 2篇周俊
  • 2篇张太平
  • 2篇王晓红
  • 2篇董良
  • 2篇黄卫东
  • 2篇罗乐
  • 2篇刘理天
  • 2篇程兆年
  • 1篇张彩妮
  • 1篇钱锋
  • 1篇张向阳
  • 1篇陈正豪
  • 1篇蒋玉齐
  • 1篇王学锋
  • 1篇李婷
  • 1篇邢怡铭
  • 1篇张群

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇Acta M...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇传感器技术
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇机械强度
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 2篇2005
  • 4篇2004
  • 2篇2003
  • 5篇2002
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
压阻加速度计的Au-Si共晶键合被引量:16
2003年
通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合 ( 36 5℃保温 10min) ,再进行下帽与结构片的键合 ( 380± 10℃保温2 0min) ,成功进行了三层键合 .测得的键合强度约为 2 30MPa.硅片 基体 /SiO2 /Cr/Au层和硅片之间键合时 ,SiO2 溶解而形成CrSi2 硅化物 .共晶反应因Cr层而被推迟 ,键合温度高出共晶温度 2 0℃左右 ,从而避免了由于Au元素向硅中扩入而造成的污染 ,进而避免可能造成的对集成微电子器件性能的影响 .试验还证明硅基体 SiO2 /Cr/Au/Poly Si/Au键合层结构设计模型也遵循这一键合过程中的原子扩散理论 .
王翔张大成李婷王玮阮勇李修函王小保杜先锋
关键词:共晶键合封装
基于自适应滤波器的相位连续化算法及其在移相干涉术中的应用被引量:4
2002年
提出一种非线性自适应数字滤波器对通过移相干涉术得到的原理相位图进行去噪音处理。这种数字滤波器的窗口尺寸可以根据其在相位图中的不同位置而变化。在有噪音 (尤其是靠近 2π相位跳变处的噪音 )存在的情况下 ,相位连续化过程仍可以有效地进行以重建被测物体表面形貌的真实相位图。
钱锋王向朝王学锋
关键词:移相干涉术
ELECTRO-MECHANICAL COUPLING ANALYSIS OF MEMS STRUCTURES BY BOUNDARY ELEMENT METHOD被引量:1
2004年
In this paper, we present the applications of Boundary Element Method (BEM) to simulate the electro-mechanical coupling responses of Micro-Electro-Mechanical systems (MEMS). The algorithm is programmed in our research group based on BEM modeling for electrostatics and elastostatics. Good agreement is shown while the simulation results of the pull-in voltages are compared with the theoretical/experimental ones for some examples.
张恺崔云俊熊春阳王丛舜方竞
关键词:静电力
不同模式耦合下偏振模色散几率分布的研究被引量:1
2004年
研究了偏振模色散的统计特性 ,在不同模式耦合条件下 ,应用蒙特卡罗方法模拟偏振模色散矢量的几率分布 ,并对模拟结果进行了函数拟合。发现随着耦合次数增加差分群时延的几率分布从一个类似δ函数分布逐渐过渡到麦克斯韦分布 ;在一定的耦合下 ,几率分布可以呈现高斯分布。对偏振模矢量的两个方向余弦进行统计分析 ,发现随着耦合次数的增加 。
张向阳王向朝
关键词:偏振模色散光通信高斯分布差分群时延
基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计(英文)
2003年
分析并设计了一种利用高选择自停止的多孔硅牺牲层技术制作压阻式加速度传感器的工艺 ,并利用外延单晶硅作为传感器的结构材料 ,这种工艺能精确地控制微结构的尺寸 .利用多孔硅作牺牲层工艺 ,使用加入硅粉和(NH4 ) 2 S2 O8的 TMAH溶液通过在薄膜上制作的小孔释放多孔硅 ,能很好地保护未被覆盖的铝线 .该工艺和标准的 CMOS工艺完全兼容 .
周俊王晓红姚朋军董良刘理天
关键词:加速度传感器多孔硅微加工牺牲层微机电系统
板上芯片固化及热处理过程中表面残余应力的演变被引量:4
2002年
利用硅压阻传感器实时原位地记录粘接剂固化过程中的应力变化和残余应力的分布状况 ,以及在热处理过程中应力的演化过程 .研究表明 ,若粘合剂固化后在空气中储存 2 0天 ,应力将在后续热处理过程中急剧增加 ;而固化后接着经历峰值为 15 0℃左右的热处理过程 ,则可以使残余应力稳定在一个相对低的值 .
孙志国张群黄卫东蒋玉齐程兆年罗乐
关键词:板上芯片残余应力半导体芯片
MEMS方法制造小型PEM燃料电池电极被引量:1
2004年
小型PEM燃料电池电极有着比较复杂的细微结构,电极担负了收集电荷,传输燃料,催化剂载体和构架支撑的功能。介绍了一种新的带有燃料传输孔的硅片电极制造方法,并且在它的表面上生长了一层多孔硅薄膜,以利于燃料传输,扩散和渗透。多孔硅孔径分布和深度范围从百纳米到几十纳米。当催化剂Pt溅射到它表面时,受多孔硅形状的限制,Pt就形成了不连续微小颗粒,对乙醇有比较强的催化作用。用此电极组装的电池,使用乙醇或甲醇燃料时分别有0 .5 5 V和0 .6 V的输出电压。
张太平阎桂珍张大成阮勇陈正豪邢怡铭
关键词:燃料电池多孔硅等离子
微角度的光学测量被引量:34
2002年
综述了微角度的光学测量方法。就干涉法、自准直法和全内反射差动探测法等测量方法的原理及特点进行了讨论。给出了各方法的典型实验装置 ,讨论了各装置的特点及应用局限性 。
张彩妮王向朝
关键词:光学测量莫尔条纹
微结构制备中选择性多孔硅牺牲层技术的研究
2002年
利用多孔硅形成的选择性 ,在指定的硅衬底区域制作多孔硅作牺牲层。提出了先制作微结构 ,后进行阳极氧化 ,形成多孔硅牺牲层的工艺 ,由此制备出了良好的悬空结构 ,并对多孔硅形成的选择性、掩模材料和工艺条件进行了研究。
周俊王晓红董良刘理天
关键词:微结构选择性MEMS多孔硅牺牲层
高g_n值MEMS加速度传感器封装的研究被引量:3
2002年
对一种新型双悬臂梁高gn 值MEMS加速度传感器进行有限元模拟。采用双悬臂梁传感芯片的一种实际封装结构 ,进行频域分析和时域分析 ,讨论封合传感器芯片和封装基体的封合材料对其输出信号的影响。频域分析表明 ,封合材料的杨氏模量对封装后加速度传感器整体的振动模态有一定影响 ,封合胶的杨氏模量很小时 ,会致使加速度传感器的信号失真 ,模拟表明可选用杨氏模量足够高的环氧树脂类作高gn 值传感器的封合材料。时域分析静态模拟表明 ,封合材料的杨氏模量 ,对最大等效应力和沿加载垂直方向的正应力最大最小值基本无影响。时域分析动态模拟表明 ,随着封合材料杨氏模量的提高 ,动态模拟输出的悬臂梁末端节点位移的波形和其经数字滤波后输出的信号变好 ,封合材料的杨氏模量不影响输出信号的频率和均值 ,在加速度脉冲幅值输入信号变化时 ,悬臂梁末端位移平均值输出信号与输入有良好的线性关系。
黄卫东彩霞徐步陆罗乐程兆年
关键词:封装频域分析时域分析
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