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天津市科技发展战略研究计划项目(09ZCKFGX00900)
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陈力颖
张小兴
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2011
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0.18μm工艺小规模嵌入式EEPROM存储阵列单Block电路
2011年
介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路,可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流.采用EEPROM嵌入式0.18μm工艺,工作电压1.8 V.改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流.
程兆贤
张小兴
戴宇杰
吕英杰
陈力颖
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RFID
EEPROM
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