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湖南省自然科学基金(02JJY2013)

作品数:6 被引量:27H指数:3
相关作者:胡慧芳韦建卫梁君武张丽芳彭平更多>>
相关机构:湖南大学中南大学天津商学院更多>>
发文基金:湖南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学机械工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇单壁
  • 4篇碳纳米管
  • 4篇纳米管
  • 3篇单壁碳纳米管
  • 3篇拓扑缺陷
  • 2篇电学
  • 2篇电子态
  • 2篇电子态密度
  • 2篇异质结
  • 2篇态密度
  • 2篇五边形
  • 2篇分子
  • 1篇单壁纳米碳管
  • 1篇第一超极化率
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷密度
  • 1篇电学性能
  • 1篇电子结构
  • 1篇氧吸附

机构

  • 6篇湖南大学
  • 2篇中南大学
  • 1篇天津商学院

作者

  • 6篇胡慧芳
  • 3篇张丽芳
  • 3篇韦建卫
  • 3篇梁君武
  • 2篇彭平
  • 2篇汪小知
  • 2篇曾晖
  • 1篇张丽娟
  • 1篇王志勇
  • 1篇于滢潆
  • 1篇王磊
  • 1篇谢芳

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇中南工业大学...
  • 1篇计算物理

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
含有2个五边形七边形缺陷对的单壁碳纳米管的电学性能被引量:1
2003年
在紧束缚近似基础上,应用扩展的Su Schriffer Heeger(SSH)模型,在实空间研究了1根完整"之之"碳管管壁中沿周长方向并排引入2个五边形 七边形拓扑缺陷对所形成的同质结的电学性能;计算了(9,0)-(9,0)和(8,0)-(8,0)系统的电子态密度,对五边形 七边形缺陷对在碳管中沿轴向依次排列和沿周长方向并排放置时的电子态密度进行了比较.研究结果表明:五边形 七边形(5/7)拓扑缺陷对决定费米能级附近的电学行为;拓扑缺陷不同的分布与排列方式对碳管电学性能的影响有明显差异.
张丽芳胡慧芳汪小知梁君武
关键词:碳纳米管拓扑缺陷电子态密度同质结
氧吸附对单壁碳纳米管的电子结构和光学性能的影响被引量:13
2005年
用密度泛函理论计算了氧分子物理吸附在半导体型单壁碳纳米管的束缚能,能带结构和吸收光谱.计算结果指出氧分子吸附在碳纳米管表面的优先位置,研究发现氧吸附对碳管的电子输运特性和吸收光谱有着重要的影响,并对光致氧分子解吸附的现象进行了理论分析.
梁君武胡慧芳韦建卫彭平
关键词:单壁碳纳米管吸收光谱
含有五边形—七边形缺陷的单壁纳米碳管的输运性质研究被引量:5
2006年
运用第一性原理的密度泛函理论结合非平衡格林函数研究了含有五边形—七边形拓扑缺陷的纳米碳管异质结的输运性质.结果发现拓扑缺陷对碳管的输运性质有很大影响;另外,不同类型的碳管形成的异质结的输运性质也有明显的差异.
曾晖胡慧芳韦建卫谢芳彭平
关键词:纳米碳管输运性质透射系数
有机分子二苯乙烯系列衍生物第一超极化率的理论研究被引量:6
2008年
采用耦合-微扰Hartree-Fock方法(CPHF),计算了二苯乙烯系列衍生物的静态第一超极化率.研究发现,具有离域的共轭体系和电子推拉对结构的分子,有利于发生分子内电荷转移,因而具有大的第一超极化率.进一步研究体系中取代基的位置,给体与受体的数量和得失电子的能力,分子的共面性和对称性对分子第一超极化率的影响,结果表明,有机分子拥有更多数量与更强得失电子能力的给体和受体,最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占据分子轨道(LUMO)空间分布的不对称,具有较高的原子共面性和较低的分子中心对称性,都能显著增加分子第一超极化率.研究结果有利于寻找分子结构与非线性光学性质的关系,为非线性光学分子设计,合成提供理论依据.
王磊胡慧芳韦建卫曾晖于滢潆王志勇张丽娟
关键词:二苯乙烯非线性光学第一超极化率
拓扑缺陷对碳纳米管电学性能的影响被引量:1
2005年
在紧束缚近似基础上,利用扩展的SuSchrifferHeeger(SSH)模型,在实空间中计算了理想的“zigzag”碳纳米管中分别引入5/7,5/6/7,5/6/6/7拓扑缺陷所构成的(9,0)(8,0),(9,0)(7,0)和(9,0)(6,0)三种系统的能带结构和电荷密度,并对这三种系统的计算结果进行了比较.结果表明,拓扑缺陷五边形和七边形在碳管中沿轴向的不同分布对碳管电学性能的影响明显不同.因此,可以研制出基于这些异质结的不同电子器件基元.
张丽芳胡慧芳
关键词:碳纳米管异质结拓扑缺陷电荷密度
拓扑缺陷的不同分布对单壁碳纳米管电学性能的影响被引量:2
2004年
 在紧束缚近似基础上,利用扩展的Su Schriffer Heeger(SSH)模型,在实空间研究了在完整的"zigzag"碳纳米管中分别引入5 7,5 6 7,5 6 6 7拓扑缺陷所构成的(9,0) (8,0),(9,0) (7,0)和(9,0) (6,0)三种异质结的电学性能.通过研究表明:这些拓扑缺陷不仅改变碳管的直径,而且支配费米能级附近的电学行为.并计算了(9,0) (8,0),(9,0) (7,0)和(9,0) (6,0)系统的电子态密度,对这3种异质结的能带结构和电子态密度进行了比较.结果表明:五边形和七边形在碳管中分布的不同对碳管电学性能的影响明显不同.因此,可以研制出基于这些异质结的不同的电子器件基元.
胡慧芳张丽芳汪小知梁君武
关键词:碳纳米管异质结拓扑缺陷电子态密度
共1页<1>
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