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中央高校基本科研业务费专项资金(ZYGX2010J034)

作品数：4 被引量：31H指数：3
相关作者：文岐业张怀武陈智荆玉兰杨青慧更多>>
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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇太赫兹
  • 2篇氧化钒薄膜
  • 2篇太赫兹波
  • 2篇赫兹
  • 2篇二氧化钒
  • 2篇二氧化钒薄膜
  • 1篇调制
  • 1篇性能研究
  • 1篇阈值电压
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇吸收器
  • 1篇相变
  • 1篇相变特性
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇聚酰亚胺薄膜
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘体
  • 1篇宽带
  • 1篇超薄
  • 1篇超材料

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇张怀武
  • 4篇文岐业
  • 3篇陈智
  • 2篇邱东鸿
  • 2篇孙丹丹
  • 2篇杨青慧
  • 2篇董凯
  • 2篇荆玉兰
  • 2篇赖伟恩
  • 1篇赵碧辉
  • 1篇李胜

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 4篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
金属Pt薄膜上二氧化钒的制备及其电致相变性能研究被引量：4
2013年
通过引入SiO2氧化物缓冲层,在金属Pt电极上利用射频磁控溅射技术成功制备出高质量的VO2薄膜.详细研究了SiO2厚度对VO2薄膜的晶体结构、微观形貌和绝缘体—金属相变(MIT)性能的影响.结果表明厚度0.2μm以上的SiO2缓冲层能够有效消除VO2薄膜与金属薄膜之间的巨大应力,制备出具有明显相变特性的VO2薄膜.当缓冲层达到0.7μm以上,获得的薄膜具有明显的(011)晶面择优取向,表面平整致密,相变前后电阻率变化达到3个数量级以上.基于该技术制备了Pt-SiO2/VO2-Au三明治结构,通过在垂直膜面方向施加很小的驱动电压,观察到明显的阶梯电流跳跃,证实实现了电致绝缘体—金属相变过程.该薄膜制备工艺简单,性能稳定,器件结构灵活可应用于集成式电控功能器件.
邱东鸿文岐业杨青慧陈智荆玉兰张怀武
关键词：二氧化钒薄膜相变特性阈值电压
基于圆台结构的超宽带极化不敏感太赫兹吸收器被引量：13
2013年
本文提出一种基于圆台形吸收单元的超宽带、极化不敏感的超材料太赫兹吸收器.该超材料吸收器采用金属薄膜金和介质层二氧化硅交替叠加的多层结构.采用商业软件CST Studio Suite 2009时域求解器计算了其在0—10 THz波段内的吸收率A(ω),在2—10 THz之间实现了对入射太赫兹波的超宽频带强吸收.仿真结果表明,由于其圆台形单元结构,在器件垂直方向上形成一系列不同尺寸的微型吸收器,产生了吸收频点相连的多频吸收峰.利用不同吸收峰的耦合叠加效应,获得超过8 THz的超宽带太赫兹波吸收,吸收强度达到92.3%以上.这一结构具有超宽带强吸收,360极化不敏感以及易于加工等优越特性,因而在太赫兹波探测器、光谱成像以及隐身技术方面具有潜在的应用.
莫漫漫文岐业陈智杨青慧李胜荆玉兰张怀武
关键词：太赫兹波超宽带
基于金属孔阵列的聚酰亚胺薄膜太赫兹探测被引量：2
2013年
优化设计了多种不同孔径和形状的太赫兹波段的亚波长金属孔阵列结构,结合超薄低折射率的聚酰亚胺(PI)薄膜,探索了太赫兹时域光谱技术对超薄低折射率的探测灵敏性。利用飞秒微加工技术制备了一系列亚波长金属孔阵列结构,利用太赫兹时域光谱技术测试了阵列结构的反射波谱,获得了强烈的反射共振现象。然后在亚波长金属孔阵列结构背面叠加PI薄膜,结果表明太赫兹反射峰出现了显著低频移动现象。利用这一现象,实现了低至10μm的PI薄膜的有效探测,说明亚波长金属孔阵列结构在太赫兹传感领域对检测超薄低折射率薄膜材料有极强敏感性。
董凯赖伟恩孙丹丹文岐业张怀武
关键词：太赫兹
二氧化钒薄膜低温制备及其太赫兹调制特性研究被引量：13
2013年
针对二氧化钒(VO2)薄膜在可调谐太赫兹功能器件中的应用,利用低温磁控溅射技术,在太赫兹和光学频段透明的BK7玻璃上制备出高质量的VO2薄膜.晶体结构和微观形貌分析显示薄膜为单相VO2单斜金红石结构,具有明显的(011)晶面择优取向,结构致密,表面平整.利用四探针技术和太赫兹时域光谱系统分析了薄膜的绝缘体-金属相变特性,发现相变过程中薄膜电阻率变化达到4个数量级,同时对太赫兹透射强度具有强烈的调制作用,调制深度高达89%.通过电学相变和太赫兹光学相变特性的对比研究,证实薄膜的电阻率突变主要与逾渗通路的形成有关,而太赫兹幅度的调制则来源于薄膜中载流子浓度的变化.该薄膜制备简单,成膜质量高,太赫兹调制性能优异,可应用于太赫兹开关和调制器等集成式太赫兹功能器件.
孙丹丹陈智文岐业邱东鸿赖伟恩董凯赵碧辉张怀武
关键词：二氧化钒薄膜太赫兹波调制
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