国家高技术研究发展计划(2007AA03Z242)
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
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- 放电等离子烧结法制备涂层导体用Ni合金复合长带被引量：1
- 2010年
- 采用放电等离子烧结技术(SPS)制备出表层为Ni-5%W(摩尔分数)合金、芯层为Ni-12%W(摩尔分数)合金的复合坯锭,经热轧和冷轧后获得长度为10m的复合基带。结果表明:冷轧基带界面连接性良好,能够满足大变形量冷轧工艺的要求。对复合基带的厚度及织构均匀性分析表明,在全长度范围内基带的厚度为(75±3)μm,其外层立方织构含量均在97%(<10°)以上,与商业化Ni5W基带水平相当。同时,对其力学性能与磁性能进行分析,结果表明复合长带的屈服强度为240MPa,饱和磁化强度仅为Ni5W基带的40%。采用复合坯锭路线在规模化生产高性能复合基带方面具有一定的应用潜力。
- 高培阔索红莉高忙忙赵跃马麟刘敏王建宏邱火勤
- 关键词：复合基带立方织构涂层导体
- 熔炼路线制备Ni5W合金基带立方织构形成过程的研究被引量：1
- 2013年
- 制备具有高强度、低磁性的双轴织构金属基带是获得高性能涂层超导体的基础。目前,传统的Ni5at%W(Ni5W)合金基带已经可以工业化生产,但其立方织构的形成机理尚不明确。以真空熔炼方法制备的大形变量(约99%)冷轧Ni5W合金基带作为研究对象,采用EBSD技术进行表征,系统的研究了其形变织构的演变、再结晶形核和晶粒长大等过程。研究发现,Ni5W合金基带的形变织构为典型的铜型轧制织构;在再结晶初期阶段,立方取向晶粒优先在靠近基带表层的区域形核,且具有一定的尺寸优势,其形核在厚度方向上表现出梯度分布的特点;在完全再结晶阶段,立方取向的晶粒通过"尺寸优势"和"取向长大优势"逐渐吞并其它取向的晶粒,形成强的立方织构。
- 王营霞索红莉马麟田辉袁冬梅王金华
- 关键词：再结晶织构形核
- 涂层导体用Ni-7%W合金基带的织构分析被引量：2
- 2009年
- 采用先进的放电等离子烧结技术(SPS)制备Ni7W合金初始坯锭,通过优化高能球磨和烧结工艺以及后续和热处理工艺制备出高度立方织构的Ni7W合金基带。利用电子背散射衍射(EBSD)技术对Ni7W合金基带的晶粒取向、晶界特征等信息进行采集和分析,对其织构进行了表征。该基带无需抛光,即可获得高花样质量的电子背散射衍射图像。EBSD测试结果表明:该Ni7W基带表面10°以内立方织构晶粒质量分数高达99.4%,10°以内晶界长度质量分数为93.6%,具有高质量的立方织构。
- 祝永华索红莉赵跃高忙忙马麟高培阔王建宏周美玲
- 关键词：立方织构涂层导体
- 热处理工艺对Ni-7W合金基带立方织构的影响被引量：1
- 2011年
- 采用先进的放电等离子烧结技术(SPS)制备Ni-7W(at%,下同)(Ni7W)合金初始锭,通过高能球磨使Ni、W粉末充分混合,优化冷轧和热处理工艺制备出高立方织构的Ni7W合金基带。基带晶粒大小均匀,电子背散射衍射技术(EBSD)测试结果显示:该Ni7W基带表面10°以内立方织构晶粒含量高达99.4%,10°以内晶界长度含量为93.6%;XRD测得的基带(111)Phi扫描和(200)摇摆曲线表明:基带的面内和面外半高宽分别是6.32°和5.4°,表明基带具有锐利的立方织构。在该基带上制备的La2Zr2O7(LZO)过渡层显示,LZO很好地外延生长了基底的织构,LZO薄膜(222)面φ扫描和(400)面摇摆曲线的半高宽值分别为7.57o°和5.73°。
- 祝永华索红莉赵跃高忙忙程艳玲马麟高培阔王建宏吉元周美玲
- 关键词：织构再结晶退火
- 涂层导体用织构复合基带的界面及其扩散行为
- 2011年
- 复合基带是一种高强、低磁并较易形成锐利立方织构的高性能织构金属基带,能够较好地满足制备高性能涂层导体用织构基带的要求。采用放电等离子烧结方法制备了Ni5W/Ni12W/Ni5W复合基带并对其内外层界面进行了研究,发现扩散界面有利于外层合金立方织构的形成。同时,将基带在1250℃分别经60,120和180min热处理后,基带外层合金立方织构含量均保持在98%以上。分析表明,在高温热处理阶段复合基带中界面处发生了元素互扩散行为,W元素由芯层扩散至基带表层并在晶界出形成钉扎点,抑制了晶粒的异常长大现象,使复合基带外层合金立方织构在高温热处理阶段具有较好的稳定性。
- 高忙忙索红莉赵跃高培阔程艳玲田辉马麟刘敏周美玲
- 关键词：复合基带立方织构涂层导体
