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国家自然科学基金(51002063)

作品数:3 被引量:1H指数:1
相关作者:李国兴张宝林任泽龙郭峰李伟更多>>
相关机构:吉林大学电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇MOCVD
  • 2篇YBCO
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米点
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇Y2O3
  • 1篇YBA2CU...
  • 1篇YBCO超导...
  • 1篇ZRO
  • 1篇ZRO2
  • 1篇METAL
  • 1篇超导
  • 1篇超导薄膜
  • 1篇磁通钉扎
  • 1篇NANODO...
  • 1篇MICROW...

机构

  • 2篇吉林大学
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 2篇张宝林
  • 2篇李国兴
  • 1篇郭峰
  • 1篇李善文
  • 1篇陶伯万
  • 1篇周本初
  • 1篇高忠民
  • 1篇李伟
  • 1篇任泽龙

传媒

  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Nanodots and microwires of ZrO_2 grown on LaAlO_3 by photo-assisted metal–organic chemical vapor deposition
2016年
ZrO_2 nanodots are successfully prepared on LaAlO_3(LAO)(100) substrates by photo-assisted metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD). It is indicated that the sizes and densities of ZrO_2 nanodots are controllable by modulating the growth temperature, oxygen partial pressure, and growth time. Meanwhile, the microwires are observed on the surfaces of substrates. It is found that there is an obvious competitive relationship between the nanodots and the microwires. In a growth temperature range from 500℃ to 660℃, the microwires turn longest and widest at 600℃, but in contrast, the nanodots grow into the smallest diameter at 600℃. This phenomenon could be illustrated by the energy barrier, decomposition rate of Zr(tmhd)_4, and mobility of atoms. In addition, growth time or oxygen partial pressure also affects the competitive relationship between the nanodots and the microwires. With increasing oxygen partial pressure from 451 Pa to 75_2 Pa,the microwires gradually grow larger while the nanodots become smaller. To further achieve the controllable growth, the coarsening effect of ZrO_2 is modified by varying the growth time, and the experimental results show that the coarsening effect of microwires is higher than that of nanodots by increasing the growth time to quickly minimize ZrO_2 energy density.
郭峰汪薪生庄仕伟李国兴张宝林周本初
关键词:ZRO2NANODOTSMICROWIRES
以光辅助MOCVD法在有取向Ni衬底及LAO单晶衬底上制备YBCO外延膜的比较研究
2013年
采用光辅助金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法,在生长有CeO2/YSZ/Y2O3(YSZ为Y稳定的ZrO2)缓冲层的双轴取向Ni衬底上进行了YBa2Cu3O7-x(YBCO)外延膜生长,并与LaAlO3(100)[LAO(100)]单晶衬底上的YBCO外延膜生长进行了对比.发现在Ni衬底上c轴取向YBCO外延膜的生长温度比LAO衬底上的生长温度低约30℃,但生长速度更快.经分析认为,这种差别主要是由于Ni衬底的热导率比LAO衬底高造成的.Ni衬底及LAO衬底上生长的c轴取向YBCO外延膜的超导极限电流密度(Jc)分别约为0.5 MA/cm2及1.8 MA/cm2.
李善文李伟李国兴张宝林周本初陶伯万高忠民
YBCO/ND-Y_2O_3/YBCO超导薄膜的制备及其特性研究被引量:1
2015年
采用光辅助金属有机物化学气相沉积技术,在La Al O3(100)单晶衬底上外延制备约500 nm厚YBCO/NDY2O3/YBCO薄膜。用X射线衍射技术分析薄膜的物相结构和外延特性,通过扫描电子显微镜观察薄膜的表面与截面形貌。主要研究了不同生长时间的Y2O3纳米点对YBCO超导薄膜性能的影响。Y2O3纳米点生长时间为20 s样品的临界电流密度达到2.4 MA/cm2(77 K,0 T),与未生长Y2O3纳米点的YBCO薄膜相比,其临界电流密度提高20%。分析表明,薄膜中的Y2O3在YBCO薄膜内部起到了有效钉扎中心作用,提高了临界电流密度。
汪薪生郭峰任泽龙李国兴张宝林
关键词:YBCO磁通钉扎MOCVD
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