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国际热核聚变实验堆计划(2009GB104006)

作品数：21 被引量：23H指数：3
相关作者：苟富均赵成利贺平逆吕晓丹张浚源更多>>
相关机构：贵州大学四川大学中国核工业集团公司更多>>
发文基金：国际热核聚变实验堆计划贵州省优秀青年科技人才计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学核科学技术电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇理学
  • 6篇核科学技术
  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 18篇动力学
  • 18篇分子
  • 18篇分子动力学
  • 16篇动力学模拟
  • 15篇分子动力学模...
  • 6篇原子
  • 6篇刻蚀
  • 6篇SIC
  • 5篇入射能
  • 5篇入射能量
  • 4篇相互作用
  • 3篇等离子体
  • 3篇流体
  • 3篇F原子
  • 2篇等离子
  • 2篇电子温度
  • 2篇吸附率
  • 2篇离子
  • 2篇流速
  • 2篇晶格

机构

  • 21篇贵州大学
  • 18篇四川大学
  • 6篇中国核工业集...
  • 3篇教育部
  • 2篇安特卫普大学
  • 1篇西南交通大学

作者

  • 19篇苟富均
  • 16篇赵成利
  • 12篇贺平逆
  • 12篇吕晓丹
  • 11篇张浚源
  • 11篇孙伟中
  • 7篇陈峰
  • 6篇宁建平
  • 6篇潘宇东
  • 6篇秦尤敏
  • 4篇刘华敏
  • 3篇田树平
  • 2篇张静全
  • 2篇王鹏
  • 1篇苟富君
  • 1篇刘玉杰
  • 1篇曹小岗
  • 1篇邓朝勇
  • 1篇张晋敏
  • 1篇张俊源

传媒

  • 7篇真空科学与技...
  • 5篇核聚变与等离...
  • 4篇物理学报
  • 2篇核技术
  • 2篇材料导报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇2010年全...

年份

  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 10篇2011
  • 4篇2010
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
分子动力学模拟C＋离子与聚变材料钨的相互作用被引量：4
2013年
采用分子动力学方法模拟不同能量的C+离子与聚变材料钨的相互作用。模拟结果表明:当C+离子入射剂量为3.11×1016cm-2,入射能量为50 eV时,样品表面形成一层碳膜;而入射离子能量为150和250 eV时,C+离子入射到样品内与钨原子共同形成碳钨混合层,样品表面没有形成碳膜;碳的沉积率随能量的增大先减小后增加,溅射率随能量的增大先增大后减小;轰击后的样品中,碳原子密度、C-W键密度及C-C键密度分布都随能量的增加逐渐向样品内移动,且C-W键分布厚度随能量的增加而逐渐增加,C-C键分布厚度几乎不随能量变化;在作用过程中极少量的钨原子发生溅射,但引起钨晶格损伤严重;碳在轰击后的样品中主要以Csp3杂化形式存在。
田树平贺平逆张静全潘宇东苟富均
关键词：分子动力学
分子动力学模拟H原子与Si的表面相互作用
2013年
通过分子动力学模拟了入射能量对H原子与晶Si表面相互作用的影响.通过模拟数据与实验数据的比较,得到H原子吸附率随入射量的增加呈先增加后趋于平衡的趋势.沉积的H原子在Si表面形成一层氢化非晶硅薄膜,刻蚀产物(H2,SiH2,SiH3和SiH4)对H原子吸附率趋于平衡有重要影响,并且也决定了样品的表面粗糙度.当入射能量为1eV时,样品表面粗糙度最小.随着入射能量的增加,氢化非晶硅薄膜中各成分(SiH,SiH2,SiH3)的量以及分布均有所变化.
柯川赵成利苟富均赵勇
关键词：分子动力学吸附率表面粗糙度氢化非晶硅薄膜
聚变堆中H刻蚀碳氢薄膜的分子动力学模拟被引量：1
2011年
使用分子动力学方法模拟了低能H原子与碳氢薄膜的作用过程,以了解基于核聚变装置中等离子体与C基材料的相互作用机制。模拟中使用REBO(reactive empirical bond order)势函数来描述C-H体系中原子间的相互作用,并使用Berendsen热浴来控制体系的温度。文中着重探讨了入射能量对低能H原子刻蚀碳氢薄膜的影响,入射能量分别为0.3,1,5和10eV。模拟结果显示随着入射能量的增加,H原子的吸附率增加,C原子和H原子的刻蚀率增加。同一能量下H原子比C原子更易发生刻蚀。通过讨论发现在H原子与碳氢薄膜作用过程中,当能量大于1 eV时,由于入射的H原子先沉积在表面并与表面原子发生反应形成碳氢化合物,然后在后续入射粒子的轰击下碳氢化合物在表面发生解吸附现象,从而导致了C原子的刻蚀,因此C原子的刻蚀发生主要是化学增强的物理溅射。
吕晓丹秦尤敏赵成利宁建平贺平逆苟富均
关键词：分子动力学刻蚀
Ar射频放电特性随时间演化的PIC／MCC模拟被引量：2
2012年
采用等离子体粒子模拟方法(PIC/MCC)方法对一维模型模拟了容性耦合等离子体(CCP)源放电过程中等离子体的动力学行为。在模拟氩气放电的过程中,综合考虑了电子与Ar之间的弹性碰撞、激发、电离以及Ar与Ar+之间的弹性碰撞和电荷交换过程。由模拟结果可知,射频极板附近鞘层区域在极短时间内形成,其厚度随着时间的增加而增厚;而射频极板处的粒子通量随着时间的增加逐渐减小。经过一段时间后,射频极板处平均粒子通量、平均电流以及鞘层平均厚度逐渐趋于平衡。在鞘层区域电流主要由位移电流构成,在等离子体区域电流主要由传导电流贡献。最后讨论了达到平衡态后等离子体密度、电势、电场强度和能量的空间分布情况。
张浚源陈峰孙伟中吕晓丹贺平逆苟富均
关键词：等离子体鞘层
不同流速对LTE态下氢等离子体特性的研究被引量：1
2012年
采用二维流体力学模型研究了多级直流弧放电装置中流速对处于局部热平衡状态下氢等离子体特性的影响。分析了氢等离子体中心轴线处电场和压强的分布情况;各粒子密度在通道中的分布状态;通道出口处等离子体温度以及电导率的分布情况。模拟结果表明,随着流速的增大,中心轴线处电场和压强均增大;通道中氢等离子体的各粒子密度变化很小;通道出口处等离子体温度以及电导率在出口处沿径向的分布影响不大。
陈峰张浚源赵成利孙伟中田树平张晋敏苟富均
关键词：氢等离子体流体
电流对多级弧放电装置中的氩等离子体
2012年
使用PLASIMO模拟了不同外加电流对多级弧放电产生的非热平衡下的氩等离子体特性的影响。在模拟中,腔体两端所加电流分别为30,50,70和90 A;模拟结果表明,在模拟区域内,电子密度呈先增大后减小的趋势,并且随着外加电流的增加,中心轴线上出口处的电子密度、电子温度和重粒子温度均逐渐增大。电子的电导率和电子以及重粒子的热导率也随着外加电流的增加而增大。
张浚源王鹏陈峰孙伟中吕晓丹苟富均
关键词：流体电子密度电子温度
分子动力学模拟入射角度对F原子与β-SiC表面相互作用的影响
本文采用分子动力学方法模拟了不同入射角度对F原子与SiC表面相互作用的影响,本次模拟选择的入射能量为10 eV,入射角度分别为15°、30°、45°、60°和75°。模拟结果发现F原子的沉积率随入射角度的增加而减小。当入...
赵成利秦尤敏吕晓丹宁建平贺平逆陈旭苟富均
关键词：分子动力学
文献传递
F原子与Si表面相互作用的动力学研究被引量：6
2012年
采用分子动力学方法模拟了F原子与Si表面相互作用,F原子入射能量分别为0.3,1,3,5,7和9 eV。在模拟过程中,F原子的沉积率与Si表面悬键密度有关,而Si原子的刻蚀率与表面晶格结构破坏程度有关,随着Si原子刻蚀率的增加,样品高度降低。在不同能量F原子作用下,样品Si表面形成Si-F反应层。Si-F反应层的厚度随入射能量的增加而增加,其组成成分对产物有至关重要的影响。
赵成利邓朝勇孙伟中吕晓丹陈峰贺平逆张浚源刘玉杰苟富均
关键词：分子动力学刻蚀
分子动力学模拟不同入射能量的SiF_2与SiC的相互作用
2011年
采用分子动力学模拟方法研究了入射能量对SiF2与SiC样品表面相互作用的影响。本次模拟选择的入射初始能量分别为0.3,1,5,10和25 eV。模拟结果显示SiF2分解率与Si和F原子的沉积率有密切的关系。沉积的Si和F原子在SiC表面形成一层SixFy薄膜。随入射能量的增加,薄膜厚度先增加后减小,薄膜中Si-Si键密度增大。构成薄膜的主要成分SiFx（x=1-4）中主要是SiF和SiF2,随入射能量的增加,薄膜成分由SiF2向SiF转变。
赵成利秦尤敏吕晓丹宁建平贺平逆苟富均
关键词：分子动力学分解率
低能Cl原子刻蚀Si(100)表面的分子动力学模拟被引量：1
2011年
使用分子动力学模拟方法研究了不同能量(0.3—10eV)的Cl原子对表面温度为300K的Si(100)表面的刻蚀过程.模拟中采用了Tersoff-Brenner势能函数来描述Cl-Si体系的相互作用.模拟结果显示,随着入射Cl原子在表面的吸附达到饱和,Si表面形成一层富Cl反应层.这和实验结果是一致的.反应层厚度随入射能量增加而增加.反应层中主要化合物类型为SiCl,且主要分布于反应层底部.模拟结果发现随初始入射能量的增加,Si的刻蚀率增大.在入射能量为0.3,1和5eV时,主要的Si刻蚀产物为SiCl4.在入射能量为10eV时,主要的Si刻蚀产物为SiClx(x<4).分析表明随着入射能量的增加,Cl对Si的刻蚀从化学刻蚀向物理刻蚀转变.
贺平逆宁建平秦尤敏赵成利苟富均
关键词：分子动力学分子动力学模拟微电子机械系统
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