上海市自然科学基金(03ZR14023)
- 作品数：4 被引量：31H指数：3
- 相关作者：王连卫周梅陈效双陆卫陈瑜更多>>
- 相关机构：华东师范大学中国科学院中国农业大学更多>>
- 发文基金：上海市自然科学基金中国科学院“百人计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 基于p型多孔硅的一维光子晶体的微结构分析被引量：1
- 2006年
- 经由阳极氧化实现了p型硅基的60周期(120层)反射结构,并在此基础上成功制作了基于一维光子晶体的全反射镜,其中心反射波长位于1.6μm左右,反射率几乎为100%的禁带带宽约为0.25μm。
- 包晓清钱敏王连卫朱自强
- 关键词：光子晶体阳极氧化多孔硅
- THz波段的F-P光子晶体滤波器被引量：10
- 2006年
- 理论上设计了一系列一维非周期光子晶体,这些光子晶体具有超窄带滤波的特性.并利用成熟的半导体工艺制备出了具有此性能的滤波器.通过比对理论和实验上的透射光谱,得到了两者符合较好的结果.
- 周梅陈效双王少伟张建标陆卫
- 关键词：THZ波段F-P滤波器光子带隙
- 中红外波段硅基两维光子晶体的光子带隙被引量：10
- 2005年
- 利用电化学腐蚀的方法制备了大多孔硅两维光子晶体 .结构图形对称性为正方格子 ,其结构参数为正方形晶格周期a =4 4 μm ,正方形空气柱的边长l=2 μm .并用显微红外光谱仪表征了光谱性质 。
- 周梅陈效双徐靖曾勇吴砚瑞陆卫王连卫陈瑜
- 关键词：光子晶体光子带隙对称性光谱性质中红外波段硅基
- 一种用于硅基MEMS加工的深刻蚀技术被引量：10
- 2005年
- 研究了光辅助电化学刻蚀技术,并特别研究了阵列和硅衬底之间的边缘效应。在阵列边缘由于电流分布不均匀以及空穴从孔的侧壁注入,因此可以在边缘区域观察到结构的坍塌,采用一个周期性变化的信号来调制光照的强度,边缘效应会得到一定的抑制。同时,也观察到了硅的电化学深刻蚀工艺中大电流情况下的抛光现象(阳极氧化条件下,硅表面在氢氟酸溶液中快速均匀溶解不形成孔的现象)。光学测试表明,制作的正方格子结构具有光子晶体行为,其光学禁带位于6μm附近。
- 陈瑜吴俊徐郭平生王连卫M.van der ZwanP.M.Sarro
- 关键词：电化学刻蚀深孔光子晶体
