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中国博士后科学基金(20070420851)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇四面体非晶碳
  • 1篇硼掺杂
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶碳
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 1篇韩杰才
  • 1篇朱振业
  • 1篇朱嘉琦
  • 1篇檀满林
  • 1篇张化宇

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硼掺杂对四面体非晶碳膜电导性能的影响
2008年
以单质硼和高纯石墨的混合粉末压制成型的靶材作为靶源,采用过滤阴极真空电弧技术制备不同硼含量的掺硼四面体非晶碳膜.分别采用四探针法、阻抗分析仪和电化学界面对薄膜的变温电导率、I-V特性和C-V特性进行了测试和研究.实验结果表明,当B含量由0增加至6.04 at%时,薄膜的室温电导率先逐渐增大而后逐渐减小,相应薄膜的电导激活能先逐渐减小而后逐渐增大,并在2.13 at%时分别出现最大和最小值1.42×10-7S/cm和0.1 eV.此外,掺硼四面体非晶碳/n型硅异质结的I-V曲线表现出典型的整流特性,表明p-n结二极管已经形成,且结两端的掺杂能级在空间上连续统一.
檀满林朱嘉琦张化宇朱振业韩杰才
关键词：四面体非晶碳电导率
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