中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02)
- 作品数：8 被引量：7H指数：2
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- 相关机构：中国科学院南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展
- 四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性...
- 马泽宇王晓亮
- 关键词：氧化锌晶须吸波特性
- 文献传递
- AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究被引量：1
- 2008年
- 研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10-4～10-3的CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10-4的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO体积分数的升高,器件的电流变化愈加明显,但在反向偏压下,通入CO气体对器件的电流大小无明显影响。对器件在不同体积分数CO下的灵敏度与外加偏压的关系也进行了研究,在正向偏压下,器件的灵敏度随着CO体积分数的升高而增大。当CO气体撤消时,器件表现出了迅速的恢复性能,2V的恒定电压下,器件的恢复速度约为3mA/min。
- 冯春王晓亮杨翠柏肖红领王翠梅侯奇峰马泽宇王军喜李晋闽王占国侯洵
- 关键词：ALGAN-GAN肖特基气体传感器氧化碳
- T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究被引量：1
- 2010年
- 从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%。结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合。计算表明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw的长径比,并与晶须尺寸以及复合材料制备工艺有关。
- 马泽宇王晓亮王翠梅肖红领杨翠柏
- 关键词：T-ZNOW逾渗复合材料
- 过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较
- 2008年
- 实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析。结果表明,稀土族元素Gd、Sm掺杂的GaN样品在掺杂浓度远低于过渡族Mn、Cr掺杂样品的情况下,仍能得到相同量级的饱和磁化强度,计算得到的Gd、Sm离子有效磁矩近似甚至大于其原子本征磁矩,而Mn、Cr的离子有效磁矩远小于其原子本征磁矩,说明在过渡族和稀土族元素掺杂的GaN基稀磁半导体中,有着两种完全不同的磁耦合机制。
- 姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵
- 关键词：稀磁半导体氮化镓离子注入快速退火
- SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件
- 2008年
- 使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。50mmHEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此材料研制的单管2mm栅宽HEMT,其饱和漏极电流为1.36A/mm,跨导为460mS/mm。利用内匹配技术对两个2mm栅宽器件进行了合成,输入信号频率8GHz,脉冲下输出功率为34.1W,功率增益为6.1dB,功率附加效率为37.3%。
- 王晓亮陈堂胜唐健肖红领王翠梅李晋闽王占国侯洵
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率器件
- AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征
- 2008年
- 设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一Al Nb插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了最佳的Al Nb生长时间介于15~20s。对Al Nb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其2DEG迁移率在80K时达8849cm2/V.s,室温下为1967cm2/V.s,面密度始终保持在1.02×1013cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95%,说明双Al N插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。
- 肖红领王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽王占国侯洵
- 关键词：HEMT氮化铝电学性能二维电子气
- AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaN HEMT结构材料生长及性能表征
- 设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlN/GaN/AlN/GaN HEM结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlN插入层的生长时间对材料表...
- 肖红领王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽王占国侯洵
- 关键词：HEMT氮化铝电学性能二维电子气
- 文献传递
- T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展被引量：1
- 2008年
- 四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性氧化锌晶须的制备和如何改善氧化锌晶须吸波特性已逐渐成为当前研究的重点,氧化锌晶须吸波机理有待进一步的研究,基于多层膜结构和角锥结构的吸波体的制备可能成为以后发展的重点方向。
- 马泽宇王晓亮
- 关键词：氧化锌晶须吸波特性
- AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究被引量：2
- 2008年
- 研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于CO的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的CO的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通入1%CO前后器件的肖特基势垒高度的变化和灵敏度随电压的分布关系.结果表明,器件的灵敏度强烈依赖于器件的工作温度和通入的气体浓度,随着温度和浓度的增加,器件的灵敏度呈单调增加,器件在100℃空气气氛中表现出了良好恢复性能.
- 冯春王晓亮王新华肖红领王翠梅胡国新冉军学王军喜
- 关键词：ALGAN/GANCO传感器
- 过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较
- 实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分...
- 姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵
- 关键词：稀磁半导体氮化镓离子注入快速退火
- 文献传递
