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国家自然科学基金(51171018)

作品数：7 被引量：5H指数：1
相关作者：陈冷刘红亮戴川更多>>
相关机构：北京科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术化学工程理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 3篇织构
  • 3篇微观结构
  • 3篇巨磁电阻
  • 3篇磁电
  • 3篇磁电阻
  • 2篇多层膜
  • 2篇退火
  • 2篇界面粗糙度
  • 2篇表面形貌
  • 1篇多层膜结构
  • 1篇应变能
  • 1篇织构演变
  • 1篇双层膜
  • 1篇位错
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇界面能
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒尺寸
  • 1篇互扩散
  • 1篇缓冲层

机构

  • 10篇北京科技大学

作者

  • 9篇陈冷
  • 2篇刘红亮
  • 1篇戴川

传媒

  • 3篇功能材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Cu薄膜生长过程的Monte Carlo模拟
2014年
用动力学晶格蒙特卡洛模型(Kinetic Lattice Monte Carlo,KLMC)模拟Cu薄膜的生长过程,讨论了基底温度、沉积原子数、单原子最大迁移步数和原子相互作用范围等参数对薄膜表面形貌的影响,并与实验结果进行了比较。结果表明:基底温度升高或沉积原子数增加时,沉积在基底上的原子逐步由众多各自独立的离散型分布向聚集状态过渡形成团簇,并且温度越低,团簇越趋于分散生长。当最大迁移步数减小或相互作用范围增大时,团簇亦趋于分散生长。
王炫力陈冷
关键词：表面形貌
巨磁电阻多层膜结构的研究进展被引量：5
2013年
归纳了巨磁电阻效应发现以来在各种合金体系中出现的巨磁电阻多层膜材料,对其性能和晶体结构进行了对比分析,着重从界面粗糙度、元素混合和晶体学织构等方面,评述了巨磁电阻多层膜结构的国内外研究现状,讨论了各种结构参数对巨磁电阻效应的影响。
戴川陈冷
关键词：合金体系界面粗糙度织构
磁记录薄膜材料微观结构与织构演变机理的研究
随着信息存储的爆炸式增长,磁记录逐渐向高密度/超高密度记录方向发展。为了提高磁记录存储密度可以从两个方面进行改进和提高:一方面是,巨磁电阻(GMR)读出磁头,即巨磁电阻薄膜应满足在室温下具有较大的磁电阻、磁场灵敏度高、饱...
彭晓文
关键词：巨磁电阻垂直磁记录微观结构织构演变
文献传递
缓冲层Ta对退火Co/Cu/Co薄膜微观结构和界面互扩散的影响
2018年
用直流磁控溅射法在Si/SiO_2基底上制备了Co/Cu/Co薄膜和加入缓冲层的Ta/Co/Cu/Co薄膜,用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射和俄歇电子能谱研究了薄膜的微观结构、表面形貌、织构和界面互扩散现象。结果表明:退火后薄膜中均存在{111}和{002}衍射峰,加入缓冲层Ta后,Co/Cu/Co薄膜的衍射峰强度明显增强,并存在较强的{111}纤维织构,薄膜表面孔洞及粗糙度大幅减小。退火后薄膜界面处产生互扩散现象,层状结构被破坏。缓冲层Ta提高了薄膜与基底材料间的润湿性,可有效缓解界面互扩散现象。
彭晓文陈冷
关键词：退火互扩散
磁控溅射Cu薄膜表面形貌与表面粗糙度研究
用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了沉积态和经不同温度退火后Cu薄膜的表面形貌以及表面粗糙度。实验结果表明,在单晶硅表面通过磁控溅射制备的Cu薄膜平均晶粒尺寸小于200 nm。低温退火时,Cu薄膜的晶...
胡佳智陈冷
关键词：表面形貌表面粗糙度
文献传递
Ta缓冲层厚度对FeMn/NiFe体系交换偏置的影响
2016年
用X射线衍射仪、原子力显微镜和磁强计研究了Ta缓冲层厚度变化时,Ta/FeMn/NiFe/Ta多层膜微观结构和磁性能的变化,分析了其微观结构和磁性能之间的关系。实验结果表明,随Ta缓冲层厚度增加,FeMn层织构、晶粒尺寸、位错密度、应变和界面粗糙度都发生明显变化,并且这些变化影响了多层膜的偏置场(Hex)和矫顽力(Hc)的大小。结合实验现象和交换偏置(EB)的物理本质,讨论了微观结构对交换偏置的影响机理。
杨素分陈冷
关键词：交换偏置多层膜界面粗糙度晶粒尺寸
Cu/Co双层膜微观结构和磁学性能
2017年
用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)研究了不同厚度Cu/Co双层膜的表面形貌和微观结构,并用振动样品磁强计(VSM)测量了磁滞回线。实验结果表明,薄膜表面由均匀岛状结构组成,随着Co薄膜厚度增加,"小岛"高度升高,之后部分"小岛"发生合并长大。当Co薄膜厚度为5和15nm时,Co为fcc结构;当Co薄膜厚度为30nm时,fcc结构和hcp结构同时存在。此外,随着Co薄膜厚度增加,对应磁滞回线矩形度逐渐变大,并且矫顽力和饱和磁化强度逐渐增大。
刘红亮陈冷
关键词：微观结构磁学性能
应变能和表/界面能对NiFe/Cu多层膜织构的影响
计算了NiFe/Cu薄膜的弹性应变能和表/界面能。结果表明{100}晶面和{111}晶面分别是弹性应变能和表/界面能最小的晶面,使薄膜在生长过程中岀现择尤取向而产生{100}和{111}纤维织构。比较两种织构的形成机制,...
李玮陈冷
关键词：织构
文献传递
退火对Co/Cu多层膜微观结构和磁性能的影响
2015年
研究了退火对磁控溅射Co/Cu多层膜微观结构和磁性能的影响。用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)观察了沉积态及在不同温度退火后Co/Cu多层膜表面及截面的显微组织,用能谱仪(EDS)分析了退火后Co/Cu多层膜截面的元素分布,用综合物性测量系统(PPMS)对Co/Cu多层膜的磁滞回线进行了测量。表面显微组织的观察结果表明退火温度低于450℃时,多层膜表面形貌变化不大,均是由细小的晶粒组成。退火温度高于该温度后,随退火温度的升高,晶粒迅速长大。截面显微组织的观察结果和元素分布的测试结果表明,磁控溅射的Co/Cu多层膜内有大量柱状晶,随退火温度升高柱状晶长大。当退火温度达到600℃后,多层膜内的层状结构被破坏。磁滞回线的测量结果表明,退火温度低于400℃时,Co/Cu多层膜的磁性能变化不大,退火温度高于该温度后,随退火温度升高,矫顽力迅速增大。
胡佳智陈冷
关键词：退火微观结构磁性能
Co/Cu多层膜沉积过程中结构和形貌的变化
2016年
从原子结合能和位错生成能入手,分别计算了在Co基底上沉积Cu薄膜和在Cu基底上沉积Co薄膜时,薄膜结构随沉积厚度增加所发生的变化.结果表明,在{100}纤维织构的Co基底上沉积Cu薄膜,当薄膜厚度达到3.33 nm时会在薄膜与基底界面产生错配位错,且随薄膜厚度增加,错配位错密度逐渐增大.在{100}纤维织构Cu基底上沉积Co薄膜,当薄膜厚度达到4.90 nm时,薄膜生长模式会由层状向岛状转变,薄膜为fcc结构.当厚度超过12.64 nm后会出现hcp结构.计算结果与实验得出的结论基本相符.
刘红亮陈冷
关键词：厚度位错
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