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江苏省科技计划项目(SBK200910177)
作品数:
1
被引量:5
H指数:1
相关作者:
刘斌
沈鸿烈
李斌斌
鲁林峰
林龙
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相关机构:
南京航空航天大学
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发文基金:
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刘斌
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年份
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2011
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射频反应磁控溅射法制备N掺杂p型氧化亚铜薄膜
被引量:5
2011年
通过射频反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备N掺杂的Cu2O薄膜,采用X射线衍射、分光光度计、X射线光电子能谱和霍尔效应等检测,研究了氮气掺杂对Cu2O薄膜性能的影响。结果表明:随着N原子的掺入,薄膜的结晶质量下降,光学带隙从2.28 eV升至2.47 eV左右,同时薄膜的电学性能趋于稳定。当N2/O2流量比率为0.6时,薄膜电阻率为1.5Ω.cm,空穴浓度为2.16×1019cm-3,霍尔迁移率为0.5 cm2.V-1.s-1。
林龙
李斌斌
鲁林峰
沈鸿烈
刘斌
关键词:
氧化亚铜
磁控溅射
X射线光电子谱
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