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辽宁省科技厅基金(L2011098)

作品数:2 被引量:10H指数:2
相关作者:唐立丹王冰夏洋冯嘉恒刘邦武更多>>
相关机构:辽宁工业大学中国科学院微电子研究所大连华锐重工集团股份有限公司更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目辽宁省科技厅基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇原子层沉积
  • 1篇水热
  • 1篇水热合成
  • 1篇热合成
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米棒
  • 1篇纳米棒阵列
  • 1篇晶态薄膜
  • 1篇晶种
  • 1篇活性剂
  • 1篇ZNO纳米
  • 1篇ZNO纳米棒
  • 1篇ZNO纳米棒...
  • 1篇ALN薄膜
  • 1篇表面活性
  • 1篇表面活性剂

机构

  • 2篇辽宁工业大学
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇大连华锐重工...

作者

  • 2篇王冰
  • 2篇唐立丹
  • 1篇刘邦武
  • 1篇王建中
  • 1篇冯嘉恒
  • 1篇夏洋
  • 1篇刘哲

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
表面活性剂对ZnO纳米棒阵列生长的影响被引量:2
2013年
以ZnO纳米棒阵列为研究对象,通过在晶种层中添加表面活性剂来改善水热合成ZnO纳米棒阵列的形貌、结构及其发光性能。结果表明:当添加表面活性剂的含量为0.02g/mL时,所得ZnO纳米棒为六方纤锌矿,沿着垂直于衬底的c轴生长,垂直度较高,纳米棒的长径比和密度较未添加活性剂时分别提高2.1倍和2.4倍。
王冰唐立丹刘哲孙明明王建中
关键词:ZNO纳米棒阵列表面活性剂水热合成
等离子增强原子层沉积低温生长AlN薄膜被引量:8
2013年
采用等离子增强原子层沉积技术在单晶硅基体上成功制备了AlN晶态薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、小角掠射X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分进行了表征和分析,结果表明,采用等离子增强原子层沉积制备AlN晶态薄膜的最低温度为200C,薄膜表面平整光滑,具有六方纤锌矿结构与(100)择优取向,Al2p与N1S的特征峰分别为74.1eV与397.0eV,薄膜中Al元素与N元素以Al-N键相结合,且成分均匀性良好.
冯嘉恒唐立丹刘邦武夏洋王冰
关键词:氮化铝晶态薄膜
共1页<1>
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