您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(61101029)

作品数:8 被引量:11H指数:2
相关作者:徐建华杨亚杰蒋亚东闻俊峰张鲁宁更多>>
相关机构:电子科技大学成都电子机械高等专科学校更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇电容
  • 5篇电容器
  • 3篇导电
  • 3篇导电聚合物
  • 3篇电聚合
  • 2篇电导
  • 2篇电导率
  • 2篇电解电容器
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇气相
  • 2篇气相聚合
  • 2篇钽电解电容器
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇超级电容
  • 2篇超级电容器
  • 1篇等效串联电阻
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学电容

机构

  • 7篇电子科技大学
  • 1篇成都电子机械...

作者

  • 6篇杨亚杰
  • 6篇蒋亚东
  • 6篇徐建华
  • 3篇闻俊峰
  • 2篇张鲁宁
  • 1篇苏元捷
  • 1篇李世彬
  • 1篇熊平
  • 1篇居永峰
  • 1篇杨文耀
  • 1篇肖战菲
  • 1篇吴志明
  • 1篇陈燕
  • 1篇姜晶
  • 1篇张辉
  • 1篇李金龙
  • 1篇夏双

传媒

  • 3篇功能材料
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇物理学报
  • 1篇化学学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇Nano-M...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
石墨烯/二氧化锰/聚3,4-乙烯二氧噻吩三相复合电极的制备及电化学性能被引量:5
2014年
采用水性溶液为电解液,在石墨烯表面用恒电位法依次制备二氧化锰和聚3,4-乙烯二氧噻吩层,得到石墨烯/二氧化锰/聚3,4-乙烯二氧噻吩三相复合电极。扫描电镜表征三相复合电极的形貌特征及复合结构;通过恒流充放电、循环伏安、交流阻抗等电化学测试方法研究三相复合电极的电化学性能。结果表明,石墨烯呈现独有的褶皱状结构,二氧化锰由不规则的纳米片交织而成,聚3,4-乙烯二氧噻吩由纳米范围粒子聚合而成,三相电极呈现层状复合结构;在1.0A/g的充放电电流下得到的比容值为165F/g,经过500次充放电循环后,容量保持率达到80%,具有较好的稳定性,同时,该三相复合电极还表现出很好的充放电可逆性和阻抗性能。
李金龙徐建华熊平杨文耀张辉陈燕杨亚杰
关键词:石墨烯二氧化锰恒电位电化学电容器
Vapor Phase Polymerization Deposition Conducting Polymer Nanocomposites on Porous Dielectric Surface as High Performance Electrode Materials被引量:1
2013年
We report chemical vapor phase polymerization(VPP) deposition of poly(3,4-ethylenedioxythiophene)(PEDOT) and PEDOT/graphene on porous dielectric tantalum pentoxide(Ta_2O_5) surface as cathode films for solid tantalum electrolyte capacitors. The modified oxidant/oxidant-graphene films were first deposited on Ta_2O_5 by dip-coating, and VPP process was subsequently utilized to transfer oxidant/oxidant-graphene into PEDOT/PEDOT-graphene films. The SEM images showed PEDOT/PEDOT-graphene films was successfully constructed on porous Ta_2O_5 surface through VPP deposition, and a solid tantalum electrolyte capacitor with conducting polymer-graphene nano-composites as cathode films was constructed. The high conductivity nature of PEDOT-graphene leads to resistance decrease of cathode films and lower contact resistance between PEDOT/graphene and carbon paste. This nano-composite cathode films based capacitor showed ultralow equivalent series resistance(ESR) ca. 12 m? and exhibited excellent capacitance-frequency performance, which can keep 82% of initial capacitance at 500 KHz. The investigation on leakage current revealed that the device encapsulation process has no influence on capacitor leakage current, indicating the excellent mechanical strength of PEDOT/PEDOT-gaphene films. This high conductivity and mechanical strength of graphene-based polymer films shows promising future for electrode materials such as capacitors, organic solar cells and electrochemical energy storage devices.
Ya jie YangLuning ZhangShibin LiZhiming WangJianhua XuWenyao YangYadong Jiang
关键词:NANOCOMPOSITES
基于高比容钽粉的聚合物片式电容器制备工艺研究被引量:1
2012年
针对比容为50000~70000μF.V/g的较高比容钽粉,研究了导电聚合物聚3,4-乙烯基二氧噻吩(PE-DOT)作为阴极材料的有机片式固体钽电解电容器的制备工艺,通过调整阳极体制备及阴极被覆工艺等参数实现了PEDOT在高比容钽块表面的有效被覆,获得了各项性能参数良好的聚合物片式钽电解电容器。重点研究了压制密度、形成电流密度等参数及分段被膜工艺对聚合物片式固体钽电容器容量引出、等效串联电阻、漏电流等性能的影响,并讨论了相应的电容器工作机理。
闻俊峰蒋亚东杨亚杰徐建华
关键词:导电聚合物钽电解电容器高比容钽粉
自组装超薄膜修饰Ta_2O_5介质膜及其特性研究
2012年
采用静电自组装方法在五氧化二钽(Ta2O5)介质氧化膜上制备了聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)/聚苯乙烯磺酸钠(PSS)和聚二烯丙基二甲基氯化铵/聚-3,4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸钠(PEDOT-PSS)超薄膜.研究了两种自组装超薄膜在Ta2O5介质氧化薄膜上的组装特性.结果表明两种自组装膜能够稳定地组装于Ta2O5介质膜表面,并有效降低薄膜的表面粗糙度.进一步研究了两种自组装超薄膜修饰的Ta2O5电容结构的电性能.结果表明静电自组装膜对Ta2O5介质膜表面进行修饰后,有效地隔离了介质氧化膜中的缺陷,降低了电容的漏电流并提高耐电压能力;研究还发现不同厚度的超薄膜对Ta2O5电容结构的耐压特性有不同程度的影响,较厚的薄膜可以更好地提高电容的耐压能力并降低漏电流,但会增加电容的等效串联电阻(ESR).另外,在相同薄膜层数的情况下,聚合物电解质PEDOT-PSS良好的导电性能降低了复合超薄膜的电阻,使得PDDA/PEDOT-PSS修饰的电容结构ESR值较低.
杨亚杰徐建华蒋亚东闻俊峰
关键词:静电自组装TA2O5等效串联电阻漏电流
导电聚合物/纳米银复合薄膜的制备及特性研究
2015年
采用化学气相聚合法制备了聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT))/纳米银复合薄膜,研究了复合纳米薄膜的导电及电化学性能。研究结果表明,PEDOT/纳米银复合薄膜的电导率为54.8 S/cm,高于纯PEDOT薄膜的电导率(17.3 S/cm),复合纳米薄膜的比容量为174.5 F/g,明显高于纯PEDOT薄膜的比容量。循环测试1000次后,复合膜的比容量保持率为81.6%,具有良好的电化学稳定性。这种化学气相聚合制备的聚合物复合纳米薄膜在超级电容器及导电材料领域有着良好的应用前景。
杨亚杰闻俊峰蒋亚东张鲁宁徐建华
关键词:纳米银超级电容器比容量电导率
化学气相沉积导电聚合物复合纳米薄膜及性能被引量:2
2014年
采用化学气相聚合法制备了聚-3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)/还原氧化石墨烯(RGO)复合薄膜。首先用旋涂法制备氧化剂/氧化石墨烯(GO)薄膜,然后将薄膜置于3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)气相聚合装置中,形成PEDOT/GO复合薄膜。将获得的PEDOT/GO复合薄膜用葡萄糖还原剂进行处理,获得PEDOT/RGO复合薄膜。导电性测试表明,GO被还原后复合薄膜的电导率为35.3S/cm,明显高于PEDOT/GO(14.6S/cm)和纯PEDOT(17.3S/cm)薄膜的电导率。电化学特性研究表明,RGO的加入使得PEDOT/RGO导电聚合物复合纳米材料具有优良的电化学特性及稳定性,薄膜的比电容为176.7F/g。循环测试800次后,比容量保持率为84%,具有良好的电化学稳定性。这种化学气相聚合制备的聚合物复合纳米薄膜在超级电容器及导电材料领域有着很好的应用前景。
闻俊峰蒋亚东杨亚杰徐建华张鲁宁
关键词:氧化石墨烯超级电容器电导率
极化诱导实现AlGaN薄膜材料中的超高电子浓度(10^(20)cm^(-3))掺杂被引量:1
2012年
材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素,变温Hall测试结果证明杂质掺杂A1GaN中的载流子浓度和迁移率随温度降低而减小.然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响.以准绝缘的GaN体材料作为衬底,在组分分层渐变的AlGaN中实现的极化诱导掺杂浓度仅仅在10^(17)cm^(-3)数量级甚至更低.本研究采用载流子浓度为10^(16)cm^(-3)量级的非有意n型掺杂GaN模板为衬底,用极化诱导掺杂技术在分子束外延生长的AlGaN薄膜材料中实现了高达10^(20)cm^(-3)量级的超高电子浓度.准绝缘的体材GaN半导体作衬底时,只有表面自由电子作为极化掺杂源,而非有意掺杂的GaN模板衬底除了提供表面自由电子外,还能为极化电场提供更多的自由电子"源",从而实现超高载流子浓度的n型掺杂.
李世彬肖战菲苏元捷姜晶居永峰吴志明蒋亚东
改善有机片式固体钽电解电容器性能工艺研究被引量:2
2012年
研究了在被膜过程中表面活性处理及掺杂对聚合物片式钽电容器容量、耐压、等效串联电阻(ESR)等特性的影响。研究结果表明表面活性处理后可以有效改善Ta2O5/PEDOT界面间的匹配,提高电容器容量引出效率;通过添加中间阻隔层(硅烷偶联剂)可以有效地阻挡杂质氧化性离子进入介质膜Ta2O5层,降低聚合物片式钽电容器的漏电流,提高耐压特性;实验结果表明在掺杂剂溶液的浓度为3%,补形成电压为赋能电压的70%时,能有效降低电容器ESR及漏电流。
夏双徐建华杨亚杰蒋亚东
关键词:钽电解电容器ESR漏电流耐压性
共1页<1>
聚类工具0