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高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征被引量：3: 2011年; 在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂ZnO纳米线阵列具有均一的直径和长度,其顶部和根部直径分别为70 nm和100 nm,长度约为1.5μm。此外,在能量色散谱(EDS)中观测到了As元素的存在。在低温(11 K)光致发光谱中还观测到了与As掺杂相关的中性受主束缚激子发光(A0X),证实As元素作为受主掺杂进入ZnO晶格。As掺杂ZnO纳米线的成功制备为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的p型掺杂方法。; 冯秋菊冯宇梁红伟王珏陶鹏程蒋俊岩赵涧泽李梦轲宋哲孙景昌; 关键词：ZNO纳米线阵列化学气相沉积光致发光

Realization of Ultraviolet Electroluminescence from ZnO Homo junction Fabricated on Silicon Substrate with p-Type ZnO：N Layer Formed by Radical N2O Doping被引量：2: 2008年; 孙景昌梁红伟赵涧泽边继明冯秋菊王经纬赵子文杜国同

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中国博士后科学基金(20070411069)