上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
- 作品数:12 被引量:26H指数:3
- 相关作者:汪辉翁妍徐洁晶肖方倪凯彬更多>>
- 相关机构:上海交通大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金:上海市浦江人才计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- 高k栅介质的可靠性问题被引量:3
- 2009年
- 随着集成电路特征尺寸的不断缩短,利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然,确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常重要的。综述了高k栅介质可靠性的研究现状,阐明了瞬态充电效应导致的阈值电压不可靠问题,对偏压温度不稳定现象(BTI)和高k击穿特性进行了探讨。
- 王楠汪辉
- 关键词:高介电常数金属栅
- 铜互连线内电流拥挤效应的影响被引量:3
- 2007年
- 提出了一种新的测试结构(S结构),通过实验、理论推导和有限元分析,研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性的影响。实验和有限元分析表明,铜互连线内由于电流拥挤效应的存在,在用户温度下沿特定通道输运的局部原子通量显著增大,而焦耳热所产生的温度梯度对原子通量和通量散度增大的影响则相对有限。
- 任韬翁妍徐洁晶汪辉
- 关键词:铜互连电迁移有限元分析
- InP基谐振隧穿二极管的研究被引量:1
- 2008年
- 谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行了测试分析,器件的最大电流峰谷比(PVCR)达到了17.8。
- 李亚丽张雄文冯震周瑞张志国
- 关键词:谐振隧穿二极管电流峰谷比
- 氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率被引量:9
- 2007年
- 在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响。根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍了如何对相关因素进行控制调节,为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方向。
- 肖方汪辉罗仕洲
- 关键词:氮化硅
- 深槽TVS研究被引量:5
- 2008年
- 以静电放电(ESD)以及其他一些电压浪涌形式随机出现的瞬态电压,通常存在于各种电子器件中。随着半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能,电子器件越来越容易受到电压浪涌的影响,甚至导致致命的伤害。从静电放电到闪电等各种电压浪涌都能诱导瞬态电流尖峰,瞬态电压抑制器(TVS)通常用来保护敏感电路受到浪涌的冲击。基于不同的应用,瞬态电压抑制器可以通过改变浪涌放电通路和自身的箝位电压来起到电路保护作用。为了节省芯片面积,并且获得更高的抗浪涌能力,深槽TVS的概念已经被提出和研究。深槽TVS的结面形成于纵向的深槽的侧壁,这样,在相同的芯片面积下,它有更多的有效结面积,即更强的放电能力。我们也可以预见,深槽TVS的小封装尺寸对应用于保护高端IC非常关键。
- 倪凯彬
- Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法
- 2009年
- 侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致Al被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以抑制这种缺陷产生,从而减少电迁移,并且提高芯片的可靠性。
- 施海铭汪辉李化阳林俊毅
- 高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(下)
- 2008年
- 随着45 nm及32 nm技术节点的来临,高介电常数(high-k)材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的较好选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理性能和材料特性不仅导致了很多不可靠因素,还会造成电学性能的损失。简述了高k材料的一些电学性能以及频率变化的电荷泵技术在高k栅介质薄层探测到的缺陷深度,总结了高k材料的基本限制及主要问题,并且介绍了未来技术节点的可能解决方案。
- 翁妍汪辉
- 关键词:高介电常数
- 一种多晶硅掩膜层湿法去除的改进研究被引量:1
- 2007年
- 在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产生杂质颗粒。详细分析了热H3PO4湿法刻蚀中杂质颗粒的形成机理,并且提出三种不同的解决途径,然后通过具体实验数据比较得出解决热H3PO4湿法刻蚀后杂质颗粒问题的最佳方案,为集成电路制造企业提供了理论基础和实践依据。
- 张正荣詹扬汪辉
- 关键词:半导体制造氮氧化硅湿法刻蚀
- Cu通孔诱导的应力对CMOS迁移率影响分析
- 2009年
- 利用Si片中填充Cu通孔技术实现芯片间互连是目前最有前景的三维芯片技术。利用有限元模型仿真研究了Cu通孔在Si中引起的诱导应力对CMOS晶体管迁移率的影响。分析了键合力、键合温度、通孔直径和Si片厚度等因素的影响。研究发现,Si中诱导应力的主因是键合温度,且诱导应力随Si片厚度降低而减小。同时,晶体管免受区正比于通孔的直径,且PMOS迁移率变化率对应力的敏感程度要大于NMOS,因而PMOS的免受区决定整个CMOS工艺的免受区。
- 许建华汪辉
- 关键词:通孔应力迁移率芯片互连
- CMOS RFIC平面螺旋差分变压器参数化等效电路建模
- 2008年
- 对现今常用的八边形CMOS RFIC平面螺旋差分变压器进行了参数化的2-π集总参数等效电路建模。所建模型包含随频率变化的各种损耗效应,各元件值均可根据工艺参数和器件几何尺寸以参数化的解析表达式得出。将电路仿真值与ADS Momentum器件仿真值进行对比,两者在DC^20 GHz谐振点前的频率范围内都得到了较好的拟合效果。在此基础上,对同样结构的巴仑也进行了建模和仿真。从仿真结果分别得出两者符合实际应用需要的频段。
- 徐洁晶多新中汪辉杨立吾
- 关键词:CMOS射频集成电路变压器