国家自然科学基金(61275170)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 相关作者：谢常青王冠亚牛洁斌李海亮付杰更多>>
- 相关机构：中国科学院大学中国科学院微电子研究所长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金应用光学国家重点实验室开放基金更多>>
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- 大高宽比硬X射线波带片制作及聚焦测试被引量：4
- 2017年
- 为得到同步辐射光源硬X射线波段(>2keV)需要的高宽比高分辨率波带片,本文利用高加速电压(100kV)电子束光刻配合Si3N4镂空薄膜直写来减少背散射的方法,对硬X射线波带片制作技术进行了蒙特卡洛模拟和电子束光刻实验。模拟结果显示:Si_3N_4镂空薄膜衬底可以有效降低电子在抗蚀剂中传播时的背散射,进而改善高密度大高宽比容易引起的结构倒塌和粘连问题。通过调整电子束的曝光剂量,在500nm厚的镂空Si_3N_4薄膜衬底上制备出最外环宽度为150nm、金吸收体的厚度为1.6μm,高宽比大于10的硬X射线波带片。同时,引入随机支撑点结构,实现了波带片结构自支撑,提高了大高宽比波带片的稳定性。将利用该工艺制作的波带片在北京同步辐射装置X射线成像4W1A束线8keV能量下进行了聚焦测试,得到清晰的聚焦结果。
- 李海亮史丽娜牛洁斌牛洁斌王冠亚
- 关键词：电子束光刻电子束光刻
- 硬X射线聚焦波带片的设计及制作
- 2014年
- 针对惯性约束性聚变(ICF)实验中高分辨靶源辐射成像的需要,对结合电子束光刻和X射线光刻制作大高宽比菲涅尔波带片的制作工艺进行了研究。首先采用带有自支撑薄膜的衬底进行电子束光刻和微电镀技术来制作X射线光刻掩膜,以此来降低电子束光刻过程中的背散射,然后采用多次X射线曝光和全水电镀的方法来增强大高宽比图形的抗倒性,从而完成了大高宽比波带片结构的制作。对所制作的自支撑波带片最外环宽度为350 nm,厚度为3.5μm,高宽比达到10,侧壁陡直且具有优良的结构质量,可用于10 keV^30 keV波段的硬X射线成像。
- 付杰王晓华李金华方铉魏志鹏
- 关键词：大高宽比X射线光刻电子束光刻
