四川省科技支撑计划(2011GZ0118)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 相关作者：彭斌张万里贾雅婷徐慧中艾明哲更多>>
- 相关机构：电子科技大学上海腾怡半导体有限公司更多>>
- 发文基金：四川省科技支撑计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术自然科学总论更多>>
- 基于各向异性磁阻的开关芯片的制备及优化被引量：3
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大。当Ta层的厚度在5nm左右时,NiFe更容易形成(111)织构,这时其磁阻值也最大。利用优化后的工艺,在晶元上制备NiFe薄膜,测试结果显示出开关特性,其开关场分别在398和796A/m左右。
- 艾明哲贾雅婷陈忠志徐慧中彭斌
- 关键词：缓冲层
- 基于AMR效应与Si集成的开关芯片制备与设计被引量：1
- 2014年
- 采用射频(直流)磁控溅射的方法,在生长了约200nm厚Si3N4过渡层的硅片上制备了NiFe薄膜。采用惠斯通电桥作为磁场的感应部分,设计了惠斯通电桥的尺寸,并通过光刻剥离的技术制备了电桥。研究了NiFe薄膜厚度对电桥敏感特性的影响,确定了厚度为50nm时有较高的灵敏度。将磁电阻敏感单元与信号放大处理电路集成,成功地制作出了磁场感应阀值为160A/m(2Oe)的磁电阻开关芯片。
- 武世祥余涛王鹏徐慧忠张万里
- 关键词：溅射惠斯通电桥开关芯片
- Ka波段宽带薄膜匹配负载设计与制备研究
- 2012年
- 基于实频法思想设计了Ka波段薄膜匹配负载的宽带匹配网络,并利用ADS和HFSS软件进行了仿真和优化。仿真结果表明,在32 GHz～40 GHz频率范围内,所设计匹配负载的电压驻波比均小于1.2。利用丝网印刷以及直流磁控溅射工艺制备了所设计的薄膜匹配负载。测试结果表明,所制备的TaN薄膜匹配负载在30.3 GHz～37.4 GHz频率范围内,其电压驻波比均小于1.3。
- 王磊彭斌蒋洪川王渊朝李凌张万里
- 关键词：微波无源器件宽带匹配KA波段
