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广东省重大科技专项(2008A080800007)

作品数:2 被引量:0H指数:0
相关作者:沈辉陈达明陈开汉林杨欢朱彦斌更多>>
相关机构:中山大学更多>>
发文基金:广东省重大科技专项广东省粤港关键领域重点突破项目更多>>
相关领域:电气工程动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电池
  • 2篇太阳电池
  • 1篇正交
  • 1篇正交实验
  • 1篇正交实验法
  • 1篇旁路二极管
  • 1篇中频磁控溅射
  • 1篇晶体硅
  • 1篇晶体硅太阳电...
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅太阳电池
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备

机构

  • 2篇中山大学

作者

  • 2篇沈辉
  • 1篇李明华
  • 1篇朱彦斌
  • 1篇林杨欢
  • 1篇陈开汉
  • 1篇陈达明

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇中国科学:技...

年份

  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
中频磁控溅射制备非晶硅薄膜的工艺研究及表征
2012年
使用中频磁控溅射方法进行正交实验,在Si基底上沉积非晶硅薄膜。利用n&k测试、拉曼光谱和XPS等方法表征,研究工作气压、电流、衬底温度等参数对制备非晶硅薄膜的沉积速率、光学特性及成分的影响。结果表明,中频磁控溅射制备非晶硅薄膜具有较大的O、C含量,但通过降低工作气压和提高溅射功率可有效降低O、C含量,得到光学特性和结构较好的非晶硅薄膜。
林杨欢李明华沈辉
关键词:正交实验法非晶硅中频磁控溅射太阳电池
具有集成旁路二极管的晶体硅太阳电池研究
2012年
研究了将旁路二极管集成到晶体硅太阳电池上的工艺.采用丝网印刷的方法,在晶体硅片局部区域印刷上合适的浆料,经烧结后直接形成一个二极管,其p-n结方向与主体太阳电池的p-n结方向相反,该二极管被用作旁路二极管,接着采用激光刻槽工艺将二极管与主体电池隔离,最后把多片集成了旁路二极管的太阳电池封装成组件,利用组件I-V测试仪进行不同遮挡条件下的测试.实验结果表明,集成在硅太阳电池上的旁路二极管可以有效地稳定组件短路电流,减少局部遮挡条件下组件输出功率的损失.
陈开汉陈达明朱彦斌沈辉
关键词:晶体硅太阳电池旁路二极管
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