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退火对Ta/AlOx/NiFe/AlOx/Ta超薄薄膜性能影响的研究: 采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将2nm厚的AlO层插入Ta/NiFe/ Ta薄膜的Ta/NiFe与NiFe/Ta界面,研究退火对超薄NiFe薄膜性能的影响。传统的Ta/NiFe/Ta超薄薄膜...; 丁雷王乐滕蛟于广华; 文献传递

利用FePt/Au多层膜结构制备垂直磁记录L1_0-FePt薄膜被引量：3: 2009年; 利用磁控溅射方法在100℃的MgO单晶基片上制备了[FePt/Au]10多层膜,并研究了采用FePt/Au多层膜结构对FePt薄膜的有序化温度、矫顽力(HC)、垂直磁各向异性、晶粒尺寸以及颗粒间磁交换耦合作用的影响.磁性测试结果表明:FePt/Au多层膜在退火后具有较高的HC、良好的垂直磁各向异性、较小的晶粒尺寸且无磁交换耦合作用.截面高分辨电镜分析表明:Au可以缓解MgO和FePt之间较大的晶格错配,从而促进薄膜的垂直磁各向异性;同时,采用FePt/Au多层膜结构增加了FePt/Au界面能、应力能以及Au原子在薄膜中的扩散作用,促进了薄膜的有序化,从而有效降低了有序化温度,并且大幅度提高其HC.此外,Au原子部分扩散到FePt相的边界处,起到抑制FePt晶粒生长、隔离FePt颗粒的作用,从而显著降低了FePt晶粒的尺寸和颗粒间磁交换耦合作用.; 冯春詹倩李宝河滕蛟李明华姜勇于广华; 关键词：垂直磁各向异性

纳米氧化层对坡莫合金薄膜性能的影响被引量：4: 2007年; 采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层(NOL)对NiFe薄膜性能的影响。实验结果表明:将CoFe-NOL引入NiFe薄膜,CoFe-NOL对NiFe薄膜性能有重要影响,并且CoFe-NOL在薄膜中的位置不同影响效果也不同;CoFe-NOL处于Ta/NiFe界面时,由于破坏了NiFe薄膜的织构,导致了NiFe薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值的减小和矫顽力的上升;CoFe-NOL处于NiFe/Ta界面时,则不会破坏NiFe薄膜的织构,其AMR值和矫顽力基本没有变化。将Al2O3插层引入NiFe薄膜,由于Al2O3插层的"镜面反射"作用,合适厚度的Al2O3插层可以改善薄膜的微结构,提高薄膜的磁电阻值,改善薄膜的磁性能。当Al2O3插层厚度为1.5 nm时,NiFe薄膜有最佳的微结构和性能。; 王东伟丁雷王乐滕蛟于广华; 关键词：各向异性磁电阻

Magnetic property and microstructure of SmCo magnetic recording films被引量：1: 2009年; Cr/SmCo/Cr thin films with Sm concentration of 37.7 at.% were deposited on glass substrates by magnetron sputtering. Measurement of magnetic properties showed that the SmCo film possessed good magnetic anisotropy, a high coercivity of 3019 kA/m and low magnetic exchange coupling. Microstructure analysis showed that crystallized SmCo5 magnetic phase, non-magnetic SmCo2 phase and Sm2Co7 phase co-existed in the film. The non-magnetic SmCo2 phase might function as isolator of SmCo grains, leading to a decrease of magnetic exchange coupling. Moreover, a Cr2O3 oxide layer which could protect the SmCo layer from oxidation formed at the surface of the Cr cap layer.; 李宁李帅张恩王立锦

Al_2O_3层对超薄各向异性磁电阻薄膜性能影响的研究被引量：7: 2009年; 各向异性磁电阻(AMR)薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中。器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄。采用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将几个纳米厚的Al2O3层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe界面,研究该插层对超薄NiFe薄膜性能的影响。结果表明:由于Al2O3层的"镜面反射"作用,适当厚度和结构状态的Al2O3层可以提高薄膜的磁电阻值,当NiFe薄膜厚度为5 nm时,通过在界面处插入约2nm的Al2O3层,薄膜的磁电阻值从0.65%提高到了0.80%,增加幅度超过20%。性能提高的主要原因是除纳米Al2O3插层的"镜面反射"作用外,抑制Ta/NiFe的界面反应以及减少Ta层分流也是重要的影响因素。; 丁雷王乐滕蛟于广华

具有纳米氧化层自旋阀薄膜的XPS研究被引量：1: 2008年; 采用X射线光电子能谱(XPS)研究了带有两种纳米氧化层(NOL)Ta/Ni80Fe20/Ir19Mn81/Co90Fe10∥NOL1∥Co90Fe10/Cu/Co90Fe10∥NOL2/Ta的镜面反射自旋阀薄膜的化学结构.研究结果表明:CoFe/NOL1和NOL2/Ta界面处发生了热力学有利的化学反应.CoFe磁性敏感层仍保持金属特性,部分氧化的CoFe和Ta发生界面反应,使得Ta覆盖层被氧化成Ta2O5,形成NOL2.由于仍存在部分金属CoFe,NOL1为不连续的氧化层,使得与IrMn层仍存在直接的交换耦合作用.在退火过程中,IrMn层中的Mn原子扩散到NOL1中;然而,由于NOL1和扩散的Mn原子发生界面反应,生成Mn的氧化物,从而阻止Mn原子的进一步扩散,使其偏聚在NOL1中.; 蔡永香王海成于广华; 关键词：X射线光电子能谱自旋阀交换耦合

不同工艺条件对FePt-AlN纳米薄膜磁性影响的研究: 2009年; 利用磁控溅射方法,在加热的单晶MgO(100)基片上制备了以AlN为母体的FePt薄膜,再经过真空热处理后,得到了具有垂直磁各向异性且无磁交换耦合作用的FePt薄膜;同时,研究了掺杂AlN含量、薄膜的厚度及退火温度对薄膜的磁性能的影响。结果表明,非磁性相AlN的添加能够降低磁交换耦合作用,但同时也会破坏薄膜的垂直磁各向异性。降低薄膜厚度,有利于改善薄膜的垂直磁各向异性,FePt-AlN薄膜的厚度为6nm且掺杂AlN含量达到40%时,经650℃热处理1h后薄膜具有良好垂直磁各向异性、适中矫顽力且无磁交换耦合作用。; 张恩冯春李宁王海成滕蛟王立锦于广华; 关键词：磁记录介质垂直磁各向异性

热处理对Ta／Ni0.65Co0.35薄膜微结构和磁电阻性能的影响被引量：2: 2009年; 选用磁致伸缩系数接近于零的软磁合金Ta/Ni0.65Co0.35作为磁敏感层,研究了热处理对Ta/Ni0.65Co0.35薄膜织构、磁学性能和磁电阻性能的影响.制备了Barber电极结构的磁电阻元件,对磁电阻元件的输出特性进行了测试.结果表明:真空退火可以有效降低薄膜内的应力和杂质缺陷,使晶粒尺寸增大,晶界对传导电子的散射减少,各向异性磁电阻(AMR)值提高;真空磁场退火有利于提高薄膜的单轴各向异性,使薄膜的AMR值和磁传感器元件的灵敏度增加.; 王立锦陈连康郭歌王云蛟于亚多于广华; 关键词：织构

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国家自然科学基金(50671008)