国家自然科学基金(50671060)
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
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- 应用强磁场控制Zn薄膜取向研究被引量：3
- 2010年
- 在不同磁场下,用真空蒸发法制备了不同方向放置的Zn薄膜。对样品进行X射线衍射分析表明,在大于3T的磁场环境下,垂直于磁场放置的基片上制备的Zn薄膜最强衍射峰为(002),而平行于磁场方向放置的基片上制备的试样最强衍射峰为(101)。Zn的磁各向异性引起了晶体在磁场环境下的择优生长,磁能较低的c轴方向是Zn薄膜的优先生长方向。利用磁场诱导晶体取向这一特性,提出了一种控制薄膜取向的新方法,通过调整基片与磁场方向的放置角度即可对制备薄膜的取向进行调整。
- 任树洋任忠鸣任维丽
- 关键词：强磁场磁取向
- Zn取向对氧化法制备ZnO薄膜光致发光性能的影响研究被引量：2
- 2010年
- 先利用电阻加热真空蒸发法制备(101)和(002)优先取向的金属Zn薄膜,而后氧化处理制备ZnO薄膜。并对制备的ZnO薄膜进行了XRD,SEM,紫外-可见光吸收谱和光致发光(PL)分析。XRD结果显示制备的ZnO薄膜中有未完全氧化的金属Zn。吸收谱结果发现未完全氧化的ZnO薄膜具有强烈的紫外吸收。PL谱结果显示该法制备的ZnO薄膜具有很高的PL强度,而且(101)前驱金属膜制备的ZnO比(002)前驱金属膜制备的试样具有更高的PL强度。未完全氧化的Zn所形成的缺陷是PL强度较高的原因,SEM结果显示的ZnO薄膜表面粗糙度较大引起强烈的紫外吸收也是激发光强度高的原因之一。
- 任树洋任忠鸣任维丽
- 关键词：ZNO薄膜光致发光性能
- 强磁场下真空蒸发Zn薄膜晶粒细化研究被引量：2
- 2009年
- 分别在1T,2T和3T强磁场下采用真空蒸发沉积制备了三种相同厚度的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究。SEM对薄膜表面形貌研究发现,施加磁场制备的Zn薄膜表面晶粒要比无磁场条件下制备的薄膜有明显的细化作用。对磁场下Zn原子团形成进行了热力学分析,推导了磁场作用下的临界形核半径r*M和临界形核自由能ΔGM*,引入了磁场对临界形核自由能作用因子fM。对磁场导致晶粒形核能的变化以及形核浓度的影响作了深入分析,r*M和ΔG*M减小从而增加临界形核浓度和形核速率是Zn晶粒细化的原因。另外,磁场对扩散的抑制作用也对晶粒细化起到了作用。
- 任树洋任忠鸣任维丽操光辉
- 关键词：强磁场晶粒细化真空蒸发沉积
- 强磁场对真空蒸镀制取Te薄膜的影响被引量：1
- 2009年
- 采用强磁场下物理气相沉积方法,在单晶硅、玻璃板和聚乙烯(PET)基片上真空蒸发制取Te膜.结果显示在三种不同的基片上生长Te膜时,4T强磁场能够加快Te膜的形核长大,增大Te膜的颗粒尺度,使晶粒〈011〉方向取向性增强.
- 赵安昆任忠鸣任树洋操光辉任维丽
- 关键词：真空蒸镀强磁场
- 晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究
- 2011年
- 为了研究强磁场下薄膜取向生长规律,采用真空蒸发气相沉积法分别制备了不同磁场方向生长的Zn和Bi薄膜.XRD结果发现磁化率差异较小的Zn薄膜在4T时产生了明显的取向生长,而磁化率差异较大的Bi薄膜在5T磁场强度还没有发生取向生长.SEM结果显示Zn薄膜和Bi薄膜晶粒尺寸上有明显的差别,利用Zn薄膜在4T磁场下的取向建立晶粒尺寸和取向生长的对应关系,提出薄膜发生取向时晶粒的磁化能须大于热能kT的420倍.薄膜是否发生取向生长取决于三个因素:薄膜单个晶粒的大小V,材料不同晶向的磁化率差异Δχ,施加磁场的大小B.
- 任树洋任忠鸣任维丽
- 关键词：强磁场磁取向薄膜生长
- 3T强磁场对真空蒸发Zn薄膜晶体结构的影响被引量：1
- 2009年
- 在3T强磁场下采用真空蒸发沉积在玻璃基片上制备了三种厚度分别为1,2,3μm的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究.对施加磁场和无磁场环境下制备的试样分别进行了X射线衍射研究.研究表明,3T磁场下制备的Zn薄膜都是沿(002)面取向,而0T磁场下制备的薄膜随着厚度的增加c轴取向逐渐减弱.3T磁场的取向作用可以维持Zn晶粒沿着c轴取向.利用扫描电子显微镜对薄膜表面形貌的研究发现,施加磁场制备的Zn薄膜表面晶粒要比无磁场条件下制备的薄膜有明显的细化.对磁场下Zn原子团形成进行了热力学分析,推导了磁场作用下的临界形核半径rM*和临界形核自由能ΔGM*.初步分析表明,rM*和ΔGM*减小从而增加临界形核浓度是Zn晶粒细化的原因.
- 任树洋任忠鸣任维丽操光辉
- 关键词：强磁场晶体结构真空蒸发沉积
