江苏省新型环保重点实验室开放课题基金(AE201013)
- 作品数：3 被引量：14H指数：2
- 相关作者：白宇于方丽杨建锋杜军王欢锐更多>>
- 相关机构：盐城工学院西安交通大学装甲兵工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省新型环保重点实验室开放课题基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学一般工业技术更多>>
- β-Si_3N_4晶种的制备、性能与机理研究被引量：2
- 2011年
- 本论文通过对β-Si3N4粉末的加入量、烧结助剂的种类及煅烧温度等参数的合理选择及优化,达到对β-Si3N4晶粒尺寸和形貌的有效控制,并探讨分析β-Si3N4晶种的反应机理。以MgO、Y2O3及SiO2为助烧剂,加入一定量的β-Si3N4粉末,通过对原始α-Si3N4粉末进行热处理,经去除掉玻璃相等漂洗工艺后,制备出相变充分、具有柱状形貌β-Si3N4晶种。重点研究了β-Si3N4粉末加入量及助烧剂种类对Si3N4相变、晶体形貌及晶粒尺寸分布的影响。研究结果表明:β-Si3N4粉末添加量10 wt%、MgO添加量5 wt%时,在1750℃下热处理1.5 h能得到具有比较理想长径比、缺陷少且晶粒尺寸与长径比分布较均匀β-Si3N4晶种,平均长径比接近于7.0。
- 于方丽白宇杜军于平平王俭志杨建锋
- 关键词：烧结助剂晶种
- PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响被引量：1
- 2013年
- 在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法沉积了SiC薄膜．通过高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、X射线光电子能谱仪（XPS）及扫描电子显微镜（SEM）研究基底温度对SiC薄膜成分、结构及生长速度的影响规律。结果表明：在60～500℃基底温度下制备的SiC薄膜均为非晶态薄膜，薄膜的生长速度随基底温度的升高而线性降低，并且在相同沉积条件下，薄膜在Si基底上的生长速度要高于Cu基底。此外，薄膜中的硅碳原子比随基底温度的升高而降低，当基底温度控制在350℃左右时，可以获得硅碳比为1：1较理想的SiC薄膜。
- 于方丽白宇秦毅岳冬罗才军杨建锋
- 关键词：碳化硅等离子体增强化学气相沉积基底温度
- 多孔氮化硅陶瓷的微观结构、力学性能和气体透气性的研究被引量：11
- 2012年
- 本研究中,以石油焦为造孔剂、Y2O3-Al2O3为烧结助剂,通过注浆成型制备出多孔氮化硅陶瓷。研究石油焦的加入量对多孔氮化硅陶瓷微观结构、力学性能及气体透气性的影响。结果表明:多孔氮化硅陶瓷的微孔是由长棒状的β-Si3N4晶粒互相搭接而成,大孔是由石油焦燃烧而成。随着石油焦加入量的增加,气孔率及达西渗透系数(μ)增大,但试样的抗弯强度降低。在起始α-Si3N4粉末中添加10wt%～50wt%石油焦、5wt%Y2O3-3wt%Al2O31800℃下保温2 h制备出气孔率为37.08%～59.40%、抗弯强度为52.00～154.27 MPa、μ值为(3.04～6.87)×10-13m2的多孔氮化硅陶瓷。
- 于方丽白宇杜军王欢锐杨建锋
- 关键词：气孔率氮化硅微观结构力学性能
