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重庆市教育委员会科学技术研究项目(KJ120533)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：李红娟段晓忠周前能更多>>
相关机构：重庆邮电大学更多>>
发文基金：重庆市自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目博士科研启动基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇调整器
  • 1篇抑制比
  • 1篇英文
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇CMOS带隙
  • 1篇CMOS带隙...
  • 1篇CMOS带隙...

机构

  • 1篇重庆邮电大学

作者

  • 1篇周前能
  • 1篇段晓忠
  • 1篇李红娟

传媒

  • 1篇哈尔滨商业大...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源(英文)
2013年
设计了一种采用前调整器的高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源.基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,分别对有前调整器与没有前调整器的CMOS带隙基准电压源进行了设计与仿真验证.仿真结果显示,采用前调整器的带隙基准在100 Hz、1 kHz、100 kHz处分别获得了-117.3 dB、-106.2 dB、-66.2 dB的高电源抑制比,而没有采用前调整器的CMOS带隙基准在100 Hz、1 kHz、100 kHz处仅分别获得了-81.8、-80.1、-44.9 dB的电源抑制比;在-15～90℃范围内,采用前调整器的带隙基准的温度系数为6.39 ppm/℃;当电源电压在2.2～8 V变化时,采用调整器的带隙基准的输出电压变化仅9.73μV.
周前能段晓忠李红娟
关键词：带隙基准电源抑制比
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共1页<1>
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