广东省自然科学基金(06025083)
- 作品数：18 被引量：182H指数：7
- 相关作者：范广涵丁少锋李述体章勇陈琨更多>>
- 相关机构：华南师范大学中国科学院西安交通大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- GaN基LED溢出电流的模拟
- 2009年
- 通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了LED散热和载流子屏蔽效应对溢出电流的影响,并为减小溢出电流提供了思路.
- 李军范广涵刘颂豪姚光锐杨昊胡胜蓝
- 关键词：多量子阱极化效应
- p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质被引量：4
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.p型共掺杂(GaN:Mn-Mg\Zn)后体系具有较GaN:Mn更稳定的FM态且能使TC升高;而n型共掺杂(GaN:Mn-Si\O)后体系FM态稳定性和TC较GaN:Mn降低.
- 邢海英范广涵周天明
- 关键词：磁学性质
- 第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN被引量：29
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(TC)升高,并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使TC升高,且在低能区无光吸收现象.
- 邢海英范广涵章勇赵德刚
- 关键词：电子结构光学性质
- 界面介质层对GaN基LED漏电流的影响被引量：1
- 2008年
- 在LED电极欧姆接触中,载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制。通过载流子在金属半导体界面传输机制的模拟,讨论了界面介质层及其势垒对器件串联电阻和漏电流的影响,发现介质层电阻比LED的串联电阻小得多,可以忽略不计;但是随着器件的老化,介质层及其所含的缺陷会产生相当大的漏电流,使器件的可靠性和稳定性下降,也为LED的失效机理提供了理论依据。
- 李军范广涵杨昊姚光锐
- 关键词：光电子学发光二极管介质层欧姆接触漏电流
- InN材料及器件的最新研究进展被引量：2
- 2007年
- InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述。
- 丁少锋范广涵李述体郑树文陈琨
- 关键词：INN
- Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究被引量：18
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大.
- 邢海英范广涵赵德刚何苗章勇周天明
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
- 氮化衬底对MOCVD生长GaN的影响被引量：3
- 2007年
- 采用MOCVD生长技术以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用霍尔测量技术、光致发光技术以及光学显微镜测量了GaN的电学性能、光学性能以及表面形貌.研究表明,GaN低温缓冲层生长之前的氮化衬底工艺对GaN外延层表面形貌、发光性能、电学性能有显著影响.合适的氮化衬底条件可得到表面形貌、发光性能和电学性能均较好的GaN外延膜.研究表明长时间氮化衬底使GaN外延膜表面粗糙的原因可能是由于氮化衬底影响了后续高温GaN的生长模式,促使GaN三维生长所导致的.
- 李述体范广涵周天明孙慧卿郑树文
- 关键词：半导体GANMOCVD光致发光
- Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算被引量：20
- 2007年
- 采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对Mg、Zn掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,对纤锌矿结构AlN晶体及AlN:Mg、AlN:Zn的结构、能带、结合能、电子态密度、集居数及差分电荷分布进行计算和分析.计算结果表明,AlN:Mg、AlN:Zn都能提供很多的空穴态,形成p型电导,并且Mg是较Zn更好的p型掺杂剂.
- 张丽敏范广涵丁少锋
- 关键词：ALNP型掺杂电子结构密度泛函理论第一性原理
- Be_xZn_(1-x)O合金和Mg掺杂Be_xZn_(1-x)O合金特性的理论研究
- 2007年
- 利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了对16个原子的BenZn8-nO8和Mg1BenZn7-nO8超胞进行了几何结构优化,计算了总能。从理论上给出了BeO的能带结构、态密度;BexZn1-xO合金的晶格常数、能带弯曲系数,差分电荷密度;BexZn1-xO合金的稳定性以及Mg掺杂BexZn1-xO合金的特性。计算结果表明:BexZn1-xO合金非常稳定;晶体结构参数与实验相符,并基本符合Vegard’s law(维加德定律);能带弯曲系数非常大(5.6eV左右);掺入适量的Mg原子不仅可以解决晶格失配问题、增大band off-set(能带偏移),还可以提高BexZn1-xO合金的稳定性;Be原子成为间隙杂质的可能性很小。BexZn1-xO合金可以作为ZnO/MgxZn1-xO超晶格和量子阱的最佳材料。
- 丁少锋范广涵李述体陈琨肖冰
- 关键词：第一性原理
- 氮化铟p型掺杂的第一性原理研究被引量：22
- 2007年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好.计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析.计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.
- 丁少锋范广涵李述体肖冰
- 关键词：氮化铟P型掺杂电子结构第一性原理
