广东省教育部产学研结合项目(2009B090300338)
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
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- 双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性被引量：3
- 2011年
- 为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明In组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激发YAG:Ce荧光粉实现了高显色指数白光发射.
- 陈献文吴乾李述体郑树文何苗范广涵章勇
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱双波长发光二极管金属有机化学气相沉积
- 用于植物照明的LED阵列设计被引量：4
- 2011年
- 基于温室植物光学作用和光形态调节原理,设计了两种用于植物照明的发光二极管(LED)阵列。通过推导阵列的辐射照度叠加公式并根据叠加公式对阵列进行仿真优化。两种阵列均采用红蓝LED相结合的方式排列,其中阵列1红光和蓝光LED的数量比是1:1,阵列2红光和蓝光LED的数量比是4:1。通过光学模拟软件Tracepro对照射平面进行辐射照度均匀性分析,经过优化后的阵列2在照射平面上辐射照度均匀性优于阵列1,并且阵列2的LED间距较大,更有利于整个LED阵列的散热。该结果为LED植物照明灯的阵列设计提供参考。
- 周德涛范广涵许毅钦陈肇飞
- 关键词：应用光学LED阵列
- LED路灯专利信息分析与研究被引量：1
- 2012年
- 采用"七国两组织"中文专利数据库,检索1985年1月1日到2010年12月31日期间的LED路灯相关的中国专利文献,建立LED路灯中国专利数据库。了解LED路灯在国内外的发展历史及最新研究进展,通过分析该技术专利的申请总量趋势、主要专利拥有者的分布、IPC分类号分布和关键技术等,从而为LED路灯技术的进一步开发及完善提供参考和依据。
- 贺龙飞范广涵苏晨赵芳宋晶晶张涛
- 关键词：LED路灯专利信息
- LED原材料专利信息分析与研究被引量：1
- 2011年
- 采用"七国两组织"中文专利数据库,检索1985年1月1日到2010年12月31日期间的LED原材料相关的中国专利文献,建立LED原材料中国专利数据库。了解该技术在国内外的发展历史及最新研究进展,通过分析该技术专利的申请总量趋势、主要专利拥有者的分布、IPC分类号分布等,从而为LED原材料技术的进一步开发及完善提供参考和依据。
- 贺龙飞范广涵郑树文许毅钦张涛
- 关键词：LED专利信息
- 量子阱垒层掺杂变化对双波长LED调控作用研究
- 2012年
- 采用APSYS软件研究了InGaN/GaN量子阱垒层掺杂变化对双波长发光二极管发光光谱的调控问题.在不同掺杂类型和浓度下对器件电子空穴浓度分布、载流子复合速率、能带结构、发光光谱进行分析,结果表明,调节最了阱垒层n型和p型的掺杂浓度可以精确而有效地根据需要调控发光光谱,解决发光光谱调控难的问题.这些现象归因于掺杂的量子阱垒层对电子空穴分布的调控作用.
- 刘小平范广涵张运炎郑树文龚长春王永力张涛
- 关键词：数值模拟
- 反对称n-AlGaN层对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响
- 2012年
- 采用数值分析方法对在InGaN/GaN混合多量子阱活性层和n-GaN之间引入n-A1GaN层的GaN基双蓝光波长发光二极管进行模拟分析.结果发现,与传统的具有p-A1GaN电子阻挡层的双蓝光波长发光二极管相比,这种反对称n-A1GaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,从而减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减.此外,通过改变A1组分可以提高双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性:当A1组分为0.16时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流下比较稳定,而A1组分为0.12时,光谱在大电流下比较稳定.
- 严启荣章勇闫其昂石培培郑树文牛巧利李述体范广涵
- 基于正交实验法的高亮度大功率LED仿真设计
- 2011年
- 采用正交实验法分析反射碗和透镜两部件的各个因素对LED发光强度分布的影响,并仿真设计出优化参数后的高强度、窄光束大功率LED。这一设计方法对LED的一次光学系统设计具有一定的指导意义,并有助于提高大功率LED光学系统设计的效率,降低LED封装的试验成本。
- 陈肇飞范广涵章勇严启荣
- 关键词：正交实验法大功率LED
