云南省自然科学基金(99F0042M)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
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- GaAs与Si之间过渡层的设计及其分析
- 从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小。同时,为了缓解晶格失配,我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果。
- 谭红琳王雪雯
- 关键词：晶格失配界面态密度过渡层
- 文献传递
- GaAs与Si之间过渡层的设计及其分析
- 2004年
- 从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小.同时,为了缓解晶格失配,我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果.
- 谭红琳王雪雯
- 关键词：晶格失配界面态密度过渡层
- 拉曼-光荧光光谱热壁外延生长GaAs/Si薄膜晶体质量研究被引量：5
- 2001年
- 本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在Si衬底上、不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼 (Raman)和光荧光 (PL)光谱。研究表明 :在室温下 ,GaAs晶膜的拉曼光谱的 2 6 5cm-1横声子 (TO)峰和 2 90cm-1纵声子(LO)峰的峰值和面积之比随晶膜质量的变好而逐渐变大、FWHM变窄且峰值频移变小 ,而PL光谱出现在 90 0nm光谱的FWHM较窄 ,这表明所测得的薄膜为单晶晶膜。在另外一些工艺条件下生长的GaAs薄膜拉曼光谱峰形好 ,但测不出PL光谱 ,所生的膜不是单晶。同时对同一晶膜也可判断出其均匀程度。因此我们可以通过拉曼光谱和荧光光谱相结合评定外延膜晶体质量。
- 谭红琳张鹏翔刘翔吴长树
- 关键词：半导体薄膜荧光光谱GAAS/SI
