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基于Geant4程序模拟质子打薄靶能量和角度歧离被引量：1: 2014年; 目的讨论能量歧离和角度歧离与入射质子能量、靶材料及厚度的关系。方法利用Monte Carlo模拟软件Geant4,模拟100 keV^10 MeV质子垂直入射铍(Be)、碳(C)、水(H2O)、铝(Al)、铜(Cu)薄膜后的能量歧离值和角度歧离值。结果得到能量歧离和角度歧离与薄膜厚度、薄膜材料及入射质子能量的关系。结论能量歧离主要发生在入射质子100 keV^200 keV能量范围内,当薄膜厚度越大且薄膜材料原子序数越高时,能量歧离和角度歧离越大;当入射质子能量越大时,能量歧离和角度歧离越小。; 张慧王振超关世荣梅雪松李欣; 关键词：质子

质子能量歧离的Geant4模拟被引量：1: 2014年; 为了解析能量歧离与入射质子能量、靶材料及厚度的关系,利用Geant4程序模拟100 keV^2 MeV质子垂直入射Be、C、H2O、Al、Cu薄膜的方法。结果给出能量歧离与薄膜厚度、薄膜材料及入射质子能量的关系。得出能量歧离主要发生在入射质子100~200 keV能量范围内,且薄膜厚度越大,靶材料面电子密度越大,能量歧离越大;入射质子能量越大,能量歧离越小的结论。; 张慧王振超关世荣梅雪松庞杨周巍; 关键词：GEANT4 质子

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