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教育部科学技术研究重点项目(204117)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇电导
  • 1篇电阻
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿磁电阻
  • 1篇隧穿电导
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁半导体
  • 1篇半导体
  • 1篇NM
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻

机构

  • 1篇四川师范大学

作者

  • 1篇谢征微
  • 1篇黄劲松
  • 1篇唐科
  • 1篇李玲
  • 1篇朱林

传媒

  • 1篇四川师范大学...

年份

  • 1篇2008
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排序方式：
NM/FS1/FS2/NM结的隧穿电导和隧穿磁电阻
2008年
利用平均场近似和转移矩阵方法,对NM/FS1/FS2/NM结(NM为非磁金属,FS1和FS2为铁磁半导体层)的隧穿磁电阻(TMR)与FS层厚度及Rashba自旋轨道耦合的关系进行了研究.结果表明NM/FS1/FS2/NM结中TMR值随半导体层厚度的改变发生周期性变化,选择适当的半导体层的厚度和Rashba自旋轨道耦合系数可以得到大的TMR值.
唐科黄劲松朱林谢征微李玲
关键词：隧穿磁电阻铁磁半导体
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