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国家自然科学基金(59971055)
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低频内耗方法研究纳米晶Al块体材料的退火效应
运用低频内耗温度谱和 TEM 显微观察,系统研究了由含 H 等离子蒸发制备的粉料经冷压得到的纳米晶 Al 试样的滞弹性行为及结构演化过程.结果表明:当 T<823 K 时,内耗 Q随温度指数增加;当823 K≤T≤893...
陈吉
丛洪涛
卢柯
李广义
关键词:
纳米晶
AL
内耗
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低频内耗方法研究纳米晶Al块体材料的退火效应
2001年
运用低频内耗温度谱和TEM显微观察,系统研究了由含H等离子蒸发制备的粉料经冷压得到的 纳米晶Al试样的滞弹性行为及结构演化过程.结果表明:当T预通火<823K时,内耗Q-1随温度指数增加; 当823K≤T预通火≤893K时,内耗Q-1的温度谱在指数背景上出现分布很宽的弛豫峰P0.该峰远低于经典 的粗晶Al的晶界峰;峰的激活能为(1.20±0.05)eV,介于粗晶Al沿晶界扩散的激活能与晶格扩散激活能 之间.893 K预退火40min后进行85%冷轧量变形并经727 K退火60min的纳米晶Al,内耗Q-1随温度的变 化表现为双弛豫峰P1和 P2.P1峰的激活能为(1.22±0.18)eV,P2峰的激活能为(1,53±16)eV.P1峰温 和激活能与P0峰相当,P2峰温和激活能与粗晶Al晶界峰相当,TEM显微观察表明纳米晶Al的晶间结构及 晶粒形状随预退火和冷变形处理发生了改变.根据上述结果,对预退火及冷变形处理引起的纳米晶Al的结 构变化和内耗本质进行了探讨.
陈吉
丛洪涛
卢柯
李广义
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纳米晶
AL
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