中央高校基本科研业务费专项资金(N110204015)
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
- 相关作者：王爱华李立亚陈铁军刘宇陈雷更多>>
- 相关机构：东北大学重庆大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 亚波长周期性金属狭缝结构的透射行为被引量：1
- 2013年
- 利用时域有限差分法对亚波长周期性银狭缝结构的中红外透射率进行了数值研究,并通过考察电磁场和坡印廷向量分布对TM波垂直入射条件下所选择狭缝结构的透射行为进行了深入探讨.研究结果表明,对于无附加特征的狭缝结构而言,透射率随波长的增大而单调增加,与狭缝宽度的大小不成正比.当银狭缝结构在狭缝开口处带有附加特征时,附加特征的布置方式和边长大小对于透射率的影响随狭缝宽度的变化而有所不同.根据电磁场和坡印廷向量分布分析可知,透射率的变化是由于发生在狭缝内部的腔共振效应所致.
- 王爱华蔡九菊
- 关键词：时域有限差分法透射率
- SiO_2沟槽晶圆片在快速热处理中的温度分布
- 2013年
- 采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了SiO2沟槽宽度和沟槽排列密度对晶圆片温度分布的影响.结果表明:在SiO2沟槽宽度相同的情况下,沟槽排列密度越大,晶圆片总的温度水平越高,但对温度均匀性几乎没有影响.这是由于沟槽排列密度增大使得晶圆片表面中SiO2所占份额增加,晶圆片表面总的吸收系数增大,吸收的入射辐射能增多,从而使温度水平提高.在SiO2沟槽排列密度相同的条件下,沟槽宽度的变化对于晶圆片总的温度水平和温度均匀性几乎没有影响.
- 王爱华李立亚
- 关键词：辐射传热温度分布
- 掺杂硅硅栅晶圆片快速热处理工艺中的温度分布被引量：3
- 2014年
- 为了提高晶圆片温度分布的均匀性、改善加热元件性能,采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了3种掺杂硅硅栅宽度(lG=40,50,60μm)条件下,硅栅宽度与图案周期之比(lG/lP=0.05,0.10,0.25)变化对晶圆片温度分布的影响.结果表明:在相同掺杂硅硅栅宽度条件下,随着硅栅排列密度的增加,晶圆片总的温度水平下降,晶圆片表面温度温差变小,温度均匀性提高;在相同硅栅排列密度条件下,随着硅栅宽度的增加,晶圆片温度水平不断提高,而晶圆片表面温度温差几乎没有变化.这是因为晶圆片表面图案结构变化改变了表面吸收特性,调整了对入射辐射能量的吸收和分配,影响了晶圆片温度水平和温度均匀性.
- 王爱华牛义红刘宇陈铁军李立亚
- 关键词：热辐射温度分布
- 晶圆片快速热处理工艺中温度非均匀性研究被引量：2
- 2013年
- 采用传导与辐射耦合传热模型,对晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了热传输特性变化对于晶圆片表面温度非均匀性的影响.结果表明:硅与掺杂硅导热系数的提高有助于减小沿晶圆片表面的温差,而总的温度水平变化很小;当吸收系数从104降至103 m-1时,晶圆片顶部表面的温度水平和温差骤降,当吸收系数等于103 m-1时,温度水平和温差变化不大;发射率对于晶圆片顶部表面温度水平和温差具有主要影响,提高发射率可以轻易增加晶圆片表面的温度水平;使用改善后特性数据,总的温度水平较基础算例降低约200K.研究结果有助于认识快速热处理工艺中能量传输过程、改善温度监测和控制水平.
- 王爱华陈雷
- 关键词：晶圆片辐射传热导热系数温度分布
