国家自然科学基金(60206007)
- 作品数：2 被引量：11H指数：2
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- 离子束外延技术与新材料研究
- 介绍了离子束外延（Ion-Beam Epitaxy,IBE）技术的工作原理、工艺特点以及设备的发展概况。重点阐述了IBE新材料应用研究的国内外发展现状,包括元素半导体薄膜、宽带隙化合物半导体薄膜、磁性半导体薄膜、稀土氧化...
- 杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
- 文献传递
- CeO_2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁被引量：7
- 2003年
- 利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果,并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.
- 柴春林杨少延刘志凯廖梅勇陈诺夫
- 关键词：发光机制能级跃迁
- 稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究被引量：4
- 2005年
- 介绍了一种利用离子束外延(Ion-beam Epitaxy,IBE)技术制备生长高纯稀土功能薄膜的新方法。以纯度要求不高的低成本稀土氯化物为原材料来产生大束流稀土元素离子,通过准确控制双束合成或单束浅结注入掺杂的同位素纯低能离子的能量、束斑形状、沉积剂量与配比及生长温度,在超高真空生长室内实现了稀土功能薄膜的高纯生长和低温优质外延。文中除了对新方法的技术特点、实施方式和应注意的关键技术进行了阐述,还结合CeO2,Gd2O3,GdxSi1-x等薄膜的制备研究,讨论了离子的束流密度、剂量配比、能量和生长温度等生长参数对成膜质量的影响。
- 杨少延柴春林周剑平刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
- 关键词：IBE
