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上海市博士后基金(07R214204)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：宋志棠刘彦伯张挺更多>>
相关机构：上海市纳米科技与产业发展促进中心中国科学院更多>>
发文基金：中国博士后科学基金上海市博士后基金全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇相变
  • 1篇标准差
  • 1篇超高密度
  • 1篇存储阵列

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇上海市纳米科...

作者

  • 1篇张挺
  • 1篇刘彦伯
  • 1篇宋志棠

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列被引量：2
2009年
采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。
刘彦伯闵国全宋志棠周伟民张静张挺万永中李小丽张剑平
关键词：相变
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