国家自然科学基金(60376017)
- 作品数：1 被引量：5H指数：1
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- 相关机构：复旦大学上海交通大学更多>>
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- Ge_2Sb_2Te_5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性被引量：5
- 2005年
- 对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能。研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于在拐点处结构由面心立方向密排六方结构转变所致;对不同厚度Ge2Sb2Te5薄膜的电阻率进行了分析,结果表明当厚度薄于70nm时,电阻率随厚度显著上升而迁移率下降,材料晶态电学性能的测量显示,材料有正电阻温度系数并以空穴导电;测量了Ge2Sb2Te5非挥发相转变存储器单元的I-V曲线,发现有阈值特性,在晶态时电学特性呈欧姆特性,非晶态时I-V低场为线性关系,电场较高时呈指数关系。
- 凌云林殷茵赖连章乔保卫赖云锋冯洁汤庭鳌蔡炳初Bomy.Chen
- 关键词：非晶半导体阈值电压相变存储器
- Some Solutions for Writing Current Reduction and High Density Application of Phase Change Memory
- ＜正＞High writing current is the bottle-neck of PCM application and efforts focus on merely materials doping to ...
- Yinyin LinJie FengYaifei CaiHangbing LvFeifei LiaoXin LiuTingao TangBaowei QiaoYunfeng LaiYi ZhangBingchu CaiBomy Chen
- 文献传递
