您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(60376027)

作品数:5 被引量:21H指数:5
相关作者:朱传云王存达冯列峰陈永曾志斌更多>>
相关机构:天津大学佛山科学技术学院北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信航空宇航科学技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 5篇二极管
  • 5篇负电容
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 2篇电容-电压特...
  • 2篇电压特性
  • 2篇NC
  • 2篇LEDS
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电特性
  • 1篇小信号
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光发光二极...
  • 1篇激光
  • 1篇激光二极管
  • 1篇激光阈值
  • 1篇GAN
  • 1篇LED

机构

  • 5篇天津大学
  • 2篇佛山科学技术...
  • 1篇北京工业大学

作者

  • 5篇王存达
  • 5篇朱传云
  • 4篇冯列峰
  • 3篇陈永
  • 2篇曾志斌
  • 2篇丛红侠
  • 2篇王军
  • 1篇赵锋
  • 1篇吕长志
  • 1篇谢雪松
  • 1篇李乐

传媒

  • 3篇光电子.激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇河北工业大学...

年份

  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
发光二极管中负电容现象的实验研究被引量:9
2006年
对各种发光二极管(LEDs)的负电容(NC)进行了研究。实验结果表明,所有的LEDs都展示了NC现象。电压调制发光(VMEL)实验确认,在发光有源区中注入载流子引起的强发光复合是产生NC现象的基本原因。测量还表明,不同的LEDs的NC随电压和频率的变化规律是类似的;测试频率越低,正向偏压越高,NC现象越明显。
王军冯列峰朱传云丛红侠陈永王存达
发光二极管中负电容现象的机理被引量:9
2006年
为解释发光二极管(LEDs)中的负电容(NC)现象,提出了在有源区与局部强复合效应有关的新模型,首次通过对载流子连续性方程的求解导出了NC的解析表达式。理论结果表明,在一定的范围内激活区载流子复合速率越大,LEDs中的NC效应越显著,这与实验结果完全一致。它表明,LEDs中的NC是由其激活区载流子复合引起的,而非外部原因造成。
冯列峰朱传云陈永曾志斌王存达
激光二极管正向电特性的精确检测被引量:8
2006年
采用正向交流特性结合I-V特性的方法,检测了激光二极管的串联电阻、理想因子、结电压和结电容与外加电压或电流的关系.首次发现,激光二极管的结电压、串联电阻、理想因子和结电容在阈值附近同时出现了明显的阶跃,之后结电压呈现饱和.此外还观察到,在较低的测试频率和较大的正向电压下,激光二极管的结电容具有负值.
丛红侠冯列峰王军朱传云王存达谢雪松吕长志
关键词:激光二极管激光阈值负电容
发光二极管中负电容的测试及判定被引量:5
2005年
利用正向交流(a.c.)小信号方法对发光二极管(LEDs)的电容-电压特性进行了研究,观察到了发光二极管中的负电容现象,并且测试频率越低、正向偏压越高,负电容现象越明显,给出了证实负电容确实存在的判定性试验.
陈永冯列峰朱传云王存达
关键词:发光二极管负电容电容-电压特性小信号
GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究被引量:14
2004年
利用交流(a.c.)小信号法对GaN蓝光发光二极管(LEDs)的电容 电压特性进行了研究,观察到了GaN蓝光LEDs中的负电容现象,并且测试频率越低、正向电压越大,这种负电容现象就越明显。研究结果表明,这一现象产生的最主要原因是由于GaN蓝光LEDs有源区内注入载流子的辐射复合。
曾志斌朱传云李乐赵锋王存达
关键词:GAN氮化镓蓝光发光二极管负电容电容-电压特性LED
共1页<1>
聚类工具0