国家自然科学基金(91023043)
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
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- 光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素被引量：4
- 2013年
- 采用荧光分析,暂态光电流响应分析,电化学交流阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky响应分析考察了外加电位,光照时间,溶液pH等几个关键因素对光诱导约束刻蚀体系中TiO2纳米管阵列表面游离OH生成的影响.结果表明:当外加电位为1.0 V时,光电协同产生游离OH效率最高;OH的光催化生成与消耗能很快达到稳态,形成稳定的约束刻蚀剂层,有利于保持刻蚀过程中的精度;当pH为10时,TiO2纳米管光催化产生游离OH效率最高.研究结果对于调控和优化光诱导约束刻蚀平坦化铜的溶液体系,提高铜的刻蚀速度或平坦化精度有重要的指导意义.
- 胡艳方秋艳周剑章詹东平时康田中群田昭武
- 关键词：荧光检测TIO2纳米管阵列
- 基于氧化还原软物质超薄层的约束刻蚀层技术
- <正>由田昭武院士原创提出的约束刻蚀层技术(CELT)是一项在微/纳加工领域有着广泛应用前景的电化学加工新技术1。本文将介绍我们发展此项技术的新思路和新途径,即:采用电化学/化学修饰等方法,在工具电极表面修饰一层具有独特...
- 时康田中群张红万单坤王文婧王成周剑章康仁科周平
- 关键词：修饰电极
- 文献传递
