年山西省研究生优秀创新项目(20113033)
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 相关作者：刘海瑞梁建许并社董海亮贾虎生更多>>
- 相关机构：太原理工大学河南师范大学更多>>
- 发文基金：年山西省研究生优秀创新项目国家自然科学基金山西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 不同形貌InxGa1-xN纳米材料的制备及发光性能研究
- 2012年
- 采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga),铟(In)和氨气(NH3)为镓源,铟源和氮源,在Si衬底上利用催化剂Au成功合成了不同形貌的InxGa1-xN纳米材料。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和光致发光谱(PL)对比研究了InxGa1-xN(x=0,0.25)纳米材料在形貌,化学成分,晶体结构以及发光特性的变化。分析结果表明:当没有催化剂时,所生成的InxGa1-xN样品形貌由片状结构自组装成花状结构,而在催化剂Au的作用下,生成的InxGa1-xN纳米晶的形貌变为以纳米线为轴在其上生长的片状的"塔"状结构;虽然在催化剂Au的作用下生成的InxGa1-xN(x=0.25)形貌发生了很大变化,但晶体结构未发生改变,均为六方纤锌矿结构;PL分析结果显示InxGa1-xN纳米结构的发光性能随着In含量的增加,发光谱的强度增加且同时出现了蓝光区,在催化剂Au的作用下生成的InxGa1-xN的发光强度最强。最后对不同形貌InxGa1-xN其生长机理做简单分析。
- 刘海瑞赵丹梁建张竹霞刘旭光贾虎生许并社
- 关键词：PL谱
- GaOOH和Ga_2O_3的制备及光学性能研究被引量：2
- 2013年
- 采用水热法制备了不同形貌和尺寸的GaOOH前驱体。通过XRD、SEM和TEM进行表征,并探讨分析了GaOOH的生长机理。结果表明,前驱液的pH值对GaOOH的形貌有明显的调控作用并对其结晶度有一定影响。然后将制备的GaOOH前驱体分别在温度为600℃和900℃的空气中煅烧转化成了α-Ga2O3和β-Ga2O3。煅烧后的产物具有良好的形貌继承性。荧光光谱测试(λex=250 nm)结果显示,pH值为5时制备的GaOOH和Ga2O3的发射峰位于415 nm和465 nm,而在pH值为3和8时的发射峰均位于370 nm和465 nm。
- 梁建王晓斌张艳董海亮刘海瑞许并社
- 关键词：GA2O3水热法光致发光
- β-Ga_2O_3∶Dy^(3+)荧光粉的快速制备及光学性能研究被引量：1
- 2013年
- 本文用快速微波水热加煅烧的工艺制备了不同Dy3+掺杂浓度的棒状β-Ga2O3∶Dy3+蓝/黄荧光粉。XRD和SEM分析表明Dy3+的掺入使样品的结晶度降低但未对其形貌产生影响。光致发光测试结果表明,β-Ga2O3∶Dy3+的发射峰位于492 nm和580 nm;并且随着Dy3+掺杂量的变化,样品的发射峰强度和蓝光/黄光发射强度比例发生了变化;在Dy3+掺杂量为3mol%时,样品的发射强度达到最大值,蓝光/黄光发射强度比例为59.29%/40.71%。另外,简要分析了GaOOH的生长机理和Dy3+在GaOOH∶Dy3+及β-Ga2O3∶Dy3+中的掺杂机理。
- 梁建王晓斌张艳董海亮刘海瑞许并社
- 关键词：微波水热法光致发光
- GaN薄膜的两步法制备及其物性转变的研究
- 2013年
- 本实验通过水浴加热和简单化学气相氨化两步法．在旋涂有ZnO的Si衬底上成功合成了由排列整齐纺锤体形貌的GaOOH构成的薄膜．然后在950℃下对样品进行氨化得到由排列整齐纺锤体组成的GaN薄膜。然后对氨化前后样品的形貌．结构和光学性能分别通过FESEM、EDS、TEM、XRD和PL谱进行了表征。结果表明：水热生成的GaOOH薄膜是由纺锤体形状GaOOH紧密排列形成，该纺锤体形状GaOOH有直径大约600nm。长约为1．5。2uLm。氨化前后样品的形貌没发生太大的变化：但晶体结构由正交晶系相GaOOH转变为六方纤锌矿GaN：而且发光峰也由较宽的绿光峰转变为中心为365nm的蓝光峰．这主要是由于样品由正交晶系相GaOOH转变为六方纤锌矿GaN引起的。最后对排列整齐的锤体形构成的GaOOH薄膜的形成机理以及GaOOH向GaN的转变过程发生的化学反应做了简单的探讨和分析．
- 梁建刘海瑞王晓宁董海亮贾伟贾虎生许并社
- 关键词：GAN薄膜氨化
- 片状ZnSe纳米材料的溶剂热法制备及表征被引量：2
- 2013年
- 采用溶剂热法，对制备的前驱体进行热处理，最后得到了片状结构的ZnSe纳米材料。然后利用x射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM））和光致发光谱（PL）等测试手段对样品的晶体结构、形貌、微结构和光学性质等进行了表征分析。结果表明制备的ZnSe块状结构是由厚度大约在200～300nm纳米带堆叠而成，其晶体结构为密排六方晶体结构。此外，通过分析反应过程，对片状ZnSe生成过程中的可能的化学反应和片状ZnSe可能的形成机理做了简单的分析。
- 刘海瑞王丽平贾伟贾虎生
- 关键词：ZNSE溶剂热法片状结构
