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国家科技重大专项(2009ZX01001)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：张玉明张义门程萍更多>>
相关机构：宁波大红鹰学院西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇形成能
  • 1篇本征
  • 1篇本征缺陷
  • 1篇SI
  • 1篇4H-SIC

机构

  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇宁波大红鹰学...

作者

  • 1篇程萍
  • 1篇张义门
  • 1篇张玉明

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
4H-SiC晶体中V_(Si)本征缺陷研究被引量：1
2012年
采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与VSi有关的电中性微观本征缺陷(VSi、VC-VSi、VC-C、VSi-Si)的超晶胞进行计算。结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和VSi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷VSi向稳定型本征缺陷VC-C转化的理论依据及转化方式,首先发生转移的是h晶格位置上的Si原子,与非故意掺杂4H-SiC外延材料在氙光激励作用下的ESR结果吻合较好。
程萍张玉明张义门
关键词：本征缺陷第一性原理形成能4H-SIC
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共1页<1>
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