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基于指数拟合的半导体瞬态热学测试分析方法被引量：4: 2015年; 根据瞬态热测试结果反推结构函数法的算法步骤通常包括数据拟合、平滑、求导、反卷积和网络结构转换,其中拟合和平滑分两步实现。在后续数据处理中,由于实际的测试数据信号含有很多未知噪声,往往会导致病态或不适定问题,所以在获得最终结构函数之前需要对测试数据进行去噪平滑处理。采用在原始数据理论数学模型基础上建立起来的利用最小二乘法拟合进行的数据平滑方法,此方法既省去了测试数据因寄生误差而必须进行的拟合操作,又能对含噪瞬态响应数据进行平滑,从理论建模分析和实际测试数据的分析及应用均可以看出该方法是有应用价值的。; 杨连乔陈伟阙秀福张建华; 关键词：结构函数不适定问题

大功率LED器件热阻的热敏感性研究被引量：2: 2015年; 随着发光二极管(LED)功率的提高,散热的挑战性也越来越高,而热量的集聚会引起LED结温的上升。过高的结温不但会影响LED的光功率和光通量等性能参数,还会使器件寿命急剧衰减。因此掌握LED器件的温升规律成为提高器件可靠性的关键。实验中选取了不同封装结构的LED器件,对不同驱动电流、不同基板温度和不同封装材料的LED器件分别进行了热阻、光功率等性能测试。实验发现,随着电流的增加或者基板温度的升高,LED器件的热阻呈现先下降后上升的趋势,不同封装基板的器件变化幅度有所不同;升高基板温度时,铝基板封装的LED器件由于结温高光功率衰减快热阻呈现下降趋势。结果表明互连材料层、基板的导热能力是影响LED器件热阻差异的关键。; 杨卫桥张建华殷录桥; 关键词：光学器件大功率发光二极管热阻光功率

金锡共晶互连对HP-LED光热性能的改善被引量：3: 2013年; 随着功率型LED(HP-LED)对散热的要求越来越高,传统导电银胶越来越难以满足LED的高散热要求。虽然共晶互连工艺是微电子领域中的一种有效的散热互连方法,但是由于LED的特殊性,该工艺在LED互连封装中的性能改善研究还比较少。本文对金锡共晶互连、锡膏互连和银胶互连的3种LED器件分别进行了光学、热学以及剪切力等方面的测试分析研究,结果表明:底部与顶部同时加热的金锡共晶工艺互连的LED器件可以有效地改善仅底部加热共晶互连层中的空洞缺陷,在1 000 mA电流条件下,相对于锡膏、银胶互连的LED器件具有较低的热阻、较稳定的峰值波长偏移、较强的互连层剪切力等性能。金锡共晶互连工艺是一种可以有效改善大功率LED散热及互连强度的方法。; 殷录桥翁菲付美娟宋鹏张建华; 关键词：热阻

真空密封中O型圈和燕尾槽的使用研究被引量：8: 2014年; 为了研究真空腔体环境中O型圈和燕尾槽结构的密封性能和密封作用面位置,首先介绍了O型圈在腔体密封中的广泛使用的现状,以及在MOCVD设备中的使用,接着介绍O型圈密封机理和失效准则,最后使用SolidWorks商用软件对其进行建模分析。文章最后验证O型圈和燕尾槽结构的密封作用面位置能够起到良好密封作用,并且密封作用面为法兰上下面,为加工密封法兰提供指导。; 蒋小敏甘志银; 关键词：燕尾槽 O型圈压缩率

热界面材料对高功率LED热阻的影响被引量：7: 2013年; 散热不良是制约大功率LED发展的主要瓶颈之一,直接影响着大高功率LED器件的寿命、出光效率和可靠性等。本文采用T3ster热阻测试仪和ANSYS热学模拟的方法对LED器件进行热学分析,以三种热界面材料(金锡,锡膏,银胶)对LED热阻及芯片结温的影响为例,分析了热界面材料的热导率、厚度对LED器件热学性能的影响,实验结果表明界面热阻在LED器件总热阻中所占比重较大,是影响LED结温高低的主要因素之一;热学模拟结果表明,界面材料的热导率、厚度及界面材料的有效接触率均会影响到LED器件结温的变化,所以在LED器件界面互连的设计中,需要综合考虑以上三个关键参数的控制,以实现散热性能最佳化。; 殷录桥张金龙宋朋翁菲张建华; 关键词：热分析界面热阻有限元分析

MOCVD反应腔中蓝宝石片温度均匀性研究被引量：1: 2013年; 蓝宝石片高温翘曲且半透明,本文利用Comsol Multiphysics流体与传热模块耦合的有限元方法对本公司和另一常见MOCVD反应腔体和加热器进行高温环境的稳态建模,考虑了翘曲导致的导热不均匀以及耦合了参与介质的辐射。研究了蓝宝石片表面的温度稳态情况,评估了不同腔体和加热器结构温度均匀性在±1K以内的均温效果。; 潘建秋甘志银植成杨; 关键词：MOCVD 有限元模拟蓝宝石衬底温度均匀性

LED芯片与YAG荧光粉的相互热作用被引量：23: 2014年; 大功率白光LED作为新一代照明光源的优势越来越明显,但其光衰机制综合了YAG荧光粉、LED芯片以及封装散热多重因素,衰减机理复杂。为研究LED芯片与荧光胶的相互热影响,基于蓝光LED器件基板温度可控实现蓝光LED器件温度稳定,并通过外部加热(以此作为LED热量作用于荧光胶)的方式控制荧光胶、荧光粉、硅胶的温度。重点研究了温度从27℃升高到220℃对三者光衰、主波长特性的影响。对荧光胶与LED芯片的近距离相互热影响进行了测试,结果表明荧光粉涂覆量会引起光功率的降低,而且随着光功率的降低,LED芯片结温呈现指数升高。实验证明荧光胶层与LED芯片是一个相互影响的复合热源模型。; 殷录桥翁菲宋朋张金龙杨卫桥张建华; 关键词：光电子学光衰温度影响光谱强度

Numerical differentiation of noisy data with local optimum by data segmentation: 2015年; A new numerical differentiation method with local opti- mum by data segmentation is proposed. The segmentation of data is based on the second derivatives computed by a Fourier devel- opment method. A filtering process is used to achieve acceptable segmentation. Numerical results are presented by using the data segmentation method, compared with the regularization method. For further investigation, the proposed algorithm is applied to the resistance capacitance （RC） networks identification problem, and improvements of the result are obtained by using this algorithm.; Jianhua ZhangXiufu QueWei ChenYuanhao HuangLianqiao Yang

薄膜厚度对GZO透明导电膜及其LED器件性能的影响被引量：1: 2013年; 采用射频磁控溅射的方法制备了GZO透明导电薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试仪及紫外-可见光分光光度计等手段研究了厚度对于GZO薄膜性能的影响,并制备了相应的LED器件。实验结果表明:随着薄膜厚度增加,薄膜结晶质量提高,薄膜的电阻率也随之降低。当厚度为500 nm时,薄膜的电阻率最低为2.79×10-4Ω.cm,同时其在460 nm蓝光区域的光透过率高达97.9%。对所制备的以GZO薄膜为透明电极的LED器件进行了测试分析,发现GZO薄膜厚度对LED的正向电压影响不大,但对LED芯片的出光效率有较大影响。; 顾文徐韬石继锋李喜峰张建华; 关键词：GZO 透过率透明导电氧化物

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国家重点基础研究发展计划(2011CB013103)