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东南大学优秀博士学位论文基金(YBJJ0413)

作品数：3 被引量：1H指数：1
相关作者：陆生礼易扬波孙伟锋俞军军时龙兴更多>>
相关机构：东南大学更多>>
发文基金：江苏省普通高校研究生科研创新计划项目国家高技术研究发展计划东南大学优秀博士学位论文基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电阻
  • 2篇漂移区
  • 2篇击穿电压
  • 2篇场极板
  • 1篇氧化层
  • 1篇英文
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇截止频率
  • 1篇SOI-LD...
  • 1篇表面电场

机构

  • 3篇东南大学

作者

  • 3篇孙伟锋
  • 3篇易扬波
  • 3篇陆生礼
  • 1篇时龙兴
  • 1篇俞军军

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 3篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高压SOI-LDMOS截止频率研究
2006年
建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法,并借助半导体器件专业软件Tsu-prem-4和Medici,对截止频率ft与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系进行了分析;研究了栅氧化层厚度、漂移区注入剂量、SOI层厚度和场极板长度等四个关键参数对截止频率的影响;最后,提出了提高SOI-LDMOS截止频率的方法。
孙伟锋俞军军易扬波陆生礼
关键词：SOI-LDMOS截止频率栅氧化层漂移区场极板
多场极板LEDMOS表面电场和导通电阻研究被引量：1
2006年
研究了常规LEDM O S,带有两块多晶硅场极板LEDM O S以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDM O S表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDM O S的表面峰值电场和导通电阻的变化情况。模拟结果和流水实验结果都表明:多块场极板是提高LEDM O S击穿电压的一种有效方法,而且场极板对导通电阻的影响很小。研究结果还表明:由于金属铝引线下面的氧化层很厚,所以铝引线几乎不会影响到LEDM O S的击穿特性。
孙伟锋易扬波陆生礼
关键词：表面电场导通电阻击穿电压场极板
体硅LDMOS漂移区杂质分段线性注入模型研究(英文)
2006年
提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LD MOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区的杂质浓度必须呈分段线性分布.用半导体专业软件Tsuprem4和Medici模拟证明了该模型十分有效,根据该模型优化得到的新型LDMOS的击穿电压和导通电阻分别比常规LD MOS增加58.8%和降低87.4%.
孙伟锋易扬波陆生礼时龙兴
关键词：击穿电压导通电阻
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