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中国科学院知识创新工程(KJCX2YWW09-5)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇体硅
  • 1篇相变
  • 1篇相变动力学
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体硅
  • 1篇硅

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇刘邦贵
  • 1篇徐野川

传媒

  • 1篇物理

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
半导体硅重构表面及其相变动力学的研究进展
2008年
简单介绍了文章作者在半导体硅重构表面及其相变动力学研究方面的进展.近期Si(111)(7×7)-(1×1)相变的实验研究发现,将温度升高到相变温度以上时,7×7岛面积以恒定的衰减速率随时间减小至零,且初始面积越大的岛这个衰减速率就越大.文章作者分析了大量的实验事实,由此提出了一个双速相场模型来解释这个重要而令人困惑的现象.模型重点是:在相变过程中,7×7关键结构变化较快,随后的层错消解过程要慢得多.这个模型完美地解释了相关实验现象,说明该模型抓住了关键物理要素,这种相场方法也可以用于其他半导体表面相变研究.
徐野川刘邦贵
关键词：半导体相变硅
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