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国家自然科学基金(69876030)

作品数:5 被引量:39H指数:2
相关作者:马剑平陈治明雷天民余明斌胡宝宏更多>>
相关机构:西安理工大学香港科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇3C-SIC
  • 3篇碳化硅
  • 3篇半导体
  • 2篇导体
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇硅衬底
  • 2篇发光
  • 2篇半导体薄膜
  • 2篇衬底
  • 1篇熔体
  • 1篇碳饱和
  • 1篇退火
  • 1篇退火特性
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇晶体薄膜
  • 1篇晶型
  • 1篇光荧光
  • 1篇半导体材料

机构

  • 5篇西安理工大学
  • 2篇香港科技大学

作者

  • 5篇陈治明
  • 5篇马剑平
  • 4篇雷天民
  • 2篇余明斌
  • 2篇卢刚
  • 2篇王建农
  • 2篇胡宝宏
  • 1篇封先锋
  • 1篇杭联茂

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇西安理工大学...
  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 3篇2001
  • 2篇2000
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光被引量:20
2000年
用热丝化学汽相淀积 (HFCVD)法在硅衬底上生长具有纳米晶粒结构的碳化硅薄膜 .用X射线光电子谱仪 (XPS)、X射线衍射 (XRD)、傅里叶红外吸收光谱 (FTIR)、紫外光 Raman散射谱和高分辨透射电子显微镜 (HRTEM)对薄膜样品进行了结构和组分分析 ,并在室温条件下观察到了薄膜的高强度可见光发射 .
余明斌马剑平罗家骏陈治明
关键词:纳米材料碳化硅光致发光HFCVD
用碳饱和硅熔体制备的3C-SiC薄片及其光致发光被引量:2
2001年
将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约 0 5mm的SiC多晶薄片 .X射线衍射 (XRD)、Raman散射等分析表明所制备样品为 3C SiC多晶体 .采用He Cd激光 3 2 5nm线在不同温度下对实现样品进行了光致发光 (PL)测试分析 .PL实验结果表明随着温度的变化 ,PL发光中心发生蓝移 ,其中心由 2 13eV移至 2 .3 9eV .
马剑平卢刚陈治明杭联茂雷天民封先锋
关键词:熔体3C-SIC薄片光致发光半导体薄膜
3C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光被引量:2
2001年
采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以 CH4 +Si H4 +H2 混合气体为生长源气 ,在 Si衬底上生长 3 C-Si C晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理 ,并对退火前后的样品进行了光荧光 ( PL)分析。结果显示 ,未经退火处理的样品其 PL谱为一覆盖整个可见光区域的展宽发光谱线 ,主峰位置在 52 0 nm附近 ;经快速退火处理后样品的 PL谱在 450 nm位置附近出现了又一较强峰 ,再经慢速退火处理后此峰基本消失 ,但室温 PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给 3 C-Si C晶体薄膜造成应力损伤。
雷天民陈治明马剑平王建农胡宝宏
关键词:退火光荧光半导体薄膜
Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析被引量:18
2000年
采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以较低生长温度 ,在 Si( 1 1 1 )和 Si( 1 0 0 )衬底上同时外延生长 3C- Si C获得成功 .生长源气为 CH4 + Si H4 + H2 混合气体 ,热丝温度约为2 0 0 0℃ ,碳化和生长时基座温度分别为 950℃和 92 0℃ ,用 X射线衍射 ( XRD)和 X射线光电子能谱 ( XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化 .XRD结果显示出 3C- Si C薄层的外延生长特征 ,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为 Si和 C,且 Si/C原子比符合 Si C的理想化学计量比 ,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中 Si2 p和与 Cls成键形成具有闪锌矿结构的 3C- Si
雷天民陈治明余明斌马剑平胡宝宏王建农
关键词:XPS分析碳化硅硅衬底
硅熔体中3C-SiC的生长及6H-SiC晶型的抑制被引量:2
2001年
论述了从硅熔体中生长 3C- Si C晶体过程中 6 H- Si C晶型控制的一般原理 .采用将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成厚约 0 .2 m m的Si C薄层 .X射线衍射 (XRD)、X射线光电子能谱 (XPS)、Ram an散射等分析表明所制备样品为 3C- Si C多晶体 .实验结果进一步证明从硅熔体中生长 3C- Si C晶体过程中 ,通过适当调整工艺参数可以抑制 6 H- Si C晶型的形成 .
马剑平卢刚雷天民陈治明
关键词:碳化硅半导体材料
共1页<1>
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