浙江省自然科学基金(Y405016)
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
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- 晶粒尺寸对FeS_2薄膜微应变及光吸收特性的影响被引量：3
- 2007年
- 采用不同厚度的Fe膜在673K热硫化20h制备出具有不同晶粒尺寸的FeS2薄膜,分析并测定了薄膜组织结构、微应变及光吸收性能．结果表明,Fe膜硫化形成的FeS2薄膜厚度在120-550nm范围内变化时,可导致平均晶粒尺寸在40-80nm之间变化．FeS2晶粒尺寸的变化造成了晶体面缺陷密度的变化,可引起微观内应力水平、缺陷能级分布和晶界势垒高度的变化,进而使得薄膜的微应变、点阵畸变度、光吸收系数及禁带宽度等物理特性随晶粒尺寸的增加而降低．
- 刘艳辉汪洋孟亮
- 关键词：晶粒尺寸禁带宽度
- 多晶FeS_2薄膜电学性能的研究与进展被引量：1
- 2006年
- FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料,改善光电转换效率是主要研究方向,而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展,分析了硫化制备工艺及掺杂效应对FeS2薄膜电学性能的影响,介绍了晶界势垒模型、跳跃传导模型及晶体点缺陷理论等FeS2薄膜电传导相关机制,讨论了FeS2薄膜存在的问题及发展方向。
- 井源源刘艳辉孟亮
- 关键词：FES2薄膜电学性能工艺参数晶体缺陷
- 多晶FeS2薄膜电学性能的研究与进展
- FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料,改善光电转换效率是主要研究方向,而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展,分析了硫化制备工艺及掺...
- 井源源刘艳辉孟亮
- 关键词：FES2薄膜电学性能工艺参数晶体缺陷
- 文献传递
- 先驱体Fe膜结晶程度对FeS2薄膜组织和性能的影响
- 2008年
- 利用不同温度基底溅射沉积Fe膜并硫化合成FeS2薄膜的方法，研究了先驱体Fe膜结晶程度对FeS2薄膜组织结构和电学性能的影响．结果表明，较高的基底温度能够产生较大尺寸的Fe膜晶粒，400℃硫化反应可使不同结晶程度的Fe转变为晶粒细小的FeS2．随先驱体Fe膜基底温度升高，合成后的Fe＆膜体几何连续程度提高，载流子浓度下降及Hall迁移率上升．制备先驱Fe膜基底温度为300-400℃时的FeS2薄膜电阻率出现极大值．Fe膜基底温度变化改变了先驱体结晶程度，导致了FeS2薄膜中晶体缺陷行为及相变应力作用程度的变化，进而导致了FeS2薄膜电学性能的变化．
- 陈旭波刘艳辉汪洋孟亮
- 关键词：先驱体电学性能
- 不同硫压下Fe_3O_4合成FeS_2薄膜的结构及光吸收被引量：1
- 2006年
- 为了提高FeS2薄膜的性能，研究了硫化压力对FeS2薄膜组织结构和光吸收性能的影响规律．采用恒流电沉积及氧化处理制备Fe3O4先驱体薄膜，再通过400℃下的热硫化退火，使Fe3O4先驱体薄膜在不同硫压下转变成为多晶FeS2薄膜．研究结果表明，在5～80kPa的不同硫化压力下，Fe3O4薄膜均能够转变为FeS2薄膜．随硫化压力增大，FeS2薄膜的晶粒尺寸和禁带宽度略有减小．较低的硫化压力易导致FeS2薄膜结晶不充分，较高的硫化压力易导致基底膜层同时被硫化．硫化压力的变化导致相变微观应力、点缺陷数量及面缺陷比例的变化，进而导致FeS2薄膜光吸收性能的变化．
- 侯玲刘艳辉孟亮
- 关键词：晶体结构光吸收
