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福建省自然科学基金(A0310012)

作品数：8 被引量：63H指数：4
相关作者：罗仲梓于映吴清鑫陈光红翁心桥更多>>
相关机构：厦门大学福州大学苏州市职业大学更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学机械工程更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇射频MEMS...
  • 5篇开关
  • 3篇PECVD
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇PECVD法
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇性能研究
  • 1篇悬臂
  • 1篇悬臂梁
  • 1篇亚胺
  • 1篇射频
  • 1篇射频开关
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇微机电系统
  • 1篇力学性能
  • 1篇氯苯
  • 1篇浸泡
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇刻蚀

机构

  • 8篇厦门大学
  • 6篇福州大学
  • 5篇苏州市职业大...
  • 2篇南京邮电大学

作者

  • 8篇于映
  • 8篇罗仲梓
  • 7篇陈光红
  • 7篇吴清鑫
  • 1篇张春权
  • 1篇翁心桥

传媒

  • 2篇中国仪器仪表
  • 2篇功能材料
  • 1篇集美大学学报...
  • 1篇苏州市职业大...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2005
  • 1篇2004
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
AZ5214E反转光刻胶的性能研究及其在剥离工艺中的应用被引量：23
2005年
研究了AZ5214E反转光刻胶的性能并选择适当的工艺可制得利于剥离的倒台面,并将其应用于射频MEMS开关的制作中剥离厚 2μm的金薄膜。用扫描电镜(SEM)测出胶的侧壁为倒台面。
陈光红于映罗仲梓吴清鑫
微机电系统(MEMS)中薄膜力学性能的研究被引量：1
2007年
主要介绍微机电系统(MEMS)中几种测量薄膜力学性能的方法,如纳米压入法、单轴拉伸法、基底弯曲法、微旋转结构法,比较了各种方法的优缺点。这对MEMS器件的设计与研究具有重要意义。
陈光红吴清鑫于映罗仲梓
关键词：力学性能MEMS
PECVD法生长氮化硅工艺的研究被引量：33
2007年
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。
吴清鑫陈光红于映罗仲梓
关键词：PECVD氮化硅射频MEMS开关
悬臂梁接触式RF MEMS开关的关键工艺研究被引量：1
2009年
采用厚度为2μm的Au制作成共平面波导（CPW）、聚酰亚胺作为牺牲层、PECVD法淀积Si3N4薄膜作为悬臂梁，制作成悬臂梁接触式RF MEMS开关。着重对开关的关键工艺-CPV的Au剥离工艺和悬臂梁制作工艺进行研究，讨论了工艺中存在的问题及其解决方法。通过实验获得较佳的工艺参数，并制作出驱动电压为12-20V的悬臂梁接触式RF MEMS开关。
吴清鑫陈光红于映罗仲梓
关键词：射频MEMS开关悬臂梁
接触式串联射频MEMS开关的工艺研究被引量：5
2004年
本文采用MEMS工艺制作接触式串联射频开关 ,射频开关采用双端固定的悬臂梁结构 ,悬梁为PECVD制作的SiN薄膜 ,溅射Au制作共平面波导 ,聚酰亚胺作为牺牲层 ,运用等离子体刻蚀法释放牺牲层。研究了悬梁、共平面波导以及电极的制作工艺 ,并分析了牺牲层的制作和刻蚀工艺对开关结构的影响。
于映罗仲梓翁心桥
关键词：共平面波导刻蚀工艺射频开关MEMS开关PECVD
PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究被引量：5
2005年
采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜;利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残余应力;讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的残余应力的影响,并把薄膜的残余应力分为热应力和本征应力加以分析,得出适合制作射频MEMS开关器件中的桥式梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.
吴清鑫于映罗仲梓陈光红张春权杨渭2
关键词：PECVD氮化硅聚酰亚胺残余应力
射频MEMS开关中金属剥离工艺研究
2012年
研究用BP212正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZP4620正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZ5214E反转光刻胶光刻后的图形剥离金属的难易度及图形质量.用扫描电镜(SEM)观察不同光刻胶及浸泡氯苯后的侧壁图形,并分析不同侧壁图形的形成机理,找出最佳工艺参数,并应用于射频MEMS开关制作中的金属剥离.
陈光红吴清鑫于映罗仲梓
射频MEMS开关的研究
2008年
概述射频MEMS开关的研究背景及意义,介绍国内外射频MEMS开关的研究现状,列举出两种主要的射频MEMS开关:电容耦合并联式开关和金属-金属接触串联式开关的结构、工作原理、性能比较。
陈光红吴清鑫于映罗仲梓
关键词：射频MEMS开关
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