国家科技支撑计划(2010BAK69B25)
- 作品数：4 被引量：12H指数：3
- 相关作者：白晓宇李红波叶晓军陈鸣波刘成更多>>
- 相关机构：上海空间电源研究所更多>>
- 发文基金：国家科技支撑计划上海市科委科技攻关项目国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学动力工程及工程热物理更多>>
- PECVD法生长晶化硅薄膜的机理被引量：4
- 2013年
- 硅薄膜在太阳电池中有非常重要的应用,薄膜的晶化对硅薄膜的性质和太阳电池效率都有很大影响,研究薄膜晶化理论具有重要意义。选择刻蚀模型认为H原子会轰击薄膜生长表面,打断吸附较弱的化学键,促使形成强的Si-Si键,使薄膜发生晶化。通过Monte Carlo法对具体的生长晶化过程进行了模拟计算,发现薄膜晶相的转变发生在生长温度350K(77℃)以上,并且在低温(T<550K)下,晶化的过程主要发生在氢稀释度90%以上。结果与实验数据在高氢稀释下基本吻合,低氢稀释下有偏差。认为低氢稀释下晶化反应所需中间产物产量少,模型中未被考虑的其他基团影响了它们的相对数量,造成模拟结果的偏差。模型对硅薄膜晶化过程的理论解释有一定的合理性。
- 白晓宇郭群超柳琴庞宏杰张滢清李红波
- 关键词：硅薄膜晶化
- HIT电池缓冲层的关键技术发展概述
- 2013年
- HIT电池由日本Sanyo公司于1990年提出,目前已达到23.7%的最高效率。HIT电池制备的关键技术在于其本征缓冲层的工艺。大量研究表明本征硅薄膜缓冲层在硅片上沉积时很容易发生外延生长。对于外延生长影响的认识存在着很大争议,有学者认为其中含有大量缺陷态,会降低电池性能,并提出了完全阻止外延生长的新结构,但也有学者认为恰恰是外延结构真正起到了钝化界面的作用。分析认为,不同甚至相互矛盾的实验结果可能与外延结构生长时缺陷态密度的控制有关,外延结构不是影响电池性能的关键,外延结构中的缺陷态密度才是影响电池性能的重要因素。
- 白晓宇郭群超李红波
- 关键词：缓冲层
- 缓冲层对p-a-Si/n-c-Si异质结太阳电池影响的计算分析被引量：5
- 2013年
- 采用AFORS-HET和MATLAB从理论上研究了缓冲层对HIT电池性能的影响机理.首先对P层进行优化,发现高掺杂、薄厚度的P层有利于电池效率的提升.缓冲层主要的影响有两方面,一是界面态密度,二是与晶体硅形成能带失配.模拟发现,界面态增大导致复合中心密度上升,开路电压下降;能带失配的增大可以降低界面处少子浓度,起到场钝化效果,提高开路电压.短路电流和填充因子受到界面处的影响较小,与P层的工艺条件有比较大的关系.
- 白晓宇郭群超柳琴庞红杰张滢清李红波
- 关键词：缓冲层
- 硅表面钝化及对异质结太阳电池特性的影响被引量：3
- 2012年
- 研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT太阳电池的开路电压。对电池制备工艺综合优化后,得到了基于n型晶体硅的光电转换效率为16.75%(Voc=0.596V,Jsc=41.605mA/cm2,FF=0.676,AM1.5,25℃)的HIT太阳电池。
- 柳琴刘成叶晓军郭群超李红波陈鸣波
- 关键词：太阳电池表面钝化少子寿命
