西安应用材料创新基金(XA-AM-200811)
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
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- 相关领域：理学化学工程核科学技术电子电信更多>>
- M/HgI_2接触特性分析
- 2011年
- 利用不同的电极材料和制备方法制备了3种M/HgI2。采用热电子发射模型计算了相应的接触势垒。采用比接触电阻法、电极系数法和欧姆系数法对比了M/HgI2的欧姆接触特性。结果表明,C/HgI2、AuCl3/HgI2和Au/HgI2的接触势垒均约为0.9eV;C/HgI2和AuCl3/HgI2具有良好的欧姆特性,Au/HgI2的欧姆特性相对较差。分析认为,HgI2晶体表面费米能级的钉扎导致了相近的接触势垒。但由于电极制备工艺没有显著影响AuCl3/HgI2和C/HgI2晶体表面质量,因而具有良好的欧姆接触特性。由于溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成Au/HgI2晶体表面质量下降,因此其欧姆接触特性较差。
- 许岗李高宏介万奇查刚强
- 关键词：电极费米能级钉扎
- 碘化汞(α-HgI_2)晶体气相生长中的形貌转变研究
- 2009年
- 采用高纯HgI2多晶原料,利用改进的静态升华法生长了α-HgI2晶体。生长15天的晶体生长界面呈小平面,而生长29天的晶体生长界面呈椭圆形,表明α-HgI2晶体气相生长中存在生长形貌转变的现象。形貌转变的原因可能是自由碘在生长界面富集和不同晶面生长速率差异所致。生长29天的晶体体积约为1.3cm3,可能达到了该条件下的最大体积。
- 许岗李高宏介万奇
- 关键词：气相生长
- α-HgI_2多晶体合成工艺优化被引量：2
- 2011年
- 针对传统的两温区气相合成高纯HgI2多晶体方法(工艺1)原料损失多、产量低等缺点,通过工艺优化,采用单温区安瓿旋转高温合成工艺(工艺2)合成了HgI2多晶粉体.对比了两种工艺条件下合成产物的物相和杂质含量,结果表明:相对于工艺1,工艺2中由于安瓿旋转和反应温度高,原料反应充分,HgI2多晶体的产量从占合成产物总量的30%增大到90%.工艺2中杂质总量在10×10-6以下,达到HgI2单晶体生长要求.
- 许岗李高宏介万奇夏峰
- 关键词：合成工艺
- 结构缺陷对HgI_2晶体光吸收的影响被引量：1
- 2010年
- 为研究HgI2晶体结构缺陷与光吸收的关系,测试了晶体的UV和中红外透过光谱。结果表明,波长约为580nm时,存在着本征吸收限;波长大于580nm时,随波长增加,晶体对光的吸收减小,透过率达到45%以上;在1000～2500nm范围内,UV光谱存在四个明显的光吸收带,对应的入射光能量分别为0.79±0.01eV,0.72eV,0.57±0.01eV和0.53eV。中红外透过曲线随波长增加而增大,透过率为39%～68%。通过M/HgI2的I～t曲线,采用简单能级模型进一步确认了生长的HgI2晶体存在0.79±0.01eV和0.72eV两个陷阱能级。分析认为,HgI2晶体层间的相对移动形成的结构缺陷造成1572.5nm(0.79±0.01eV)和1729.2nm(0.72eV)处的吸收,晶体缺碘造成2117.5nm(0.57±0.01eV)处的吸收和汞空位造成2305.8nm(0.53eV)的吸收。在中红外波段,晶体结构缺陷造成了显著的晶格吸收。严格控制原料的化学计量比有利于减少HgI2晶体的结构缺陷,提高晶体的光学性能。
- 许岗李高宏介万奇
- HgI_2晶体溅射Au电极与化学镀Au电极的I-V特性被引量：2
- 2009年
- 利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性。测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109Ω.cm。计算接触电阻Rc的结果表明,Au/HgI2与AuCl3/HgI2接触电阻为1.6×107Ω和4.3×106Ω;AuCl3/HgI2更容易产生较低的接触电阻,形成良好的欧姆接触。分析认为AuCl3/HgI2接触中电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极。由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/HgI2具有良好的欧姆接触特性。溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差。
- 许岗介万奇李高宏
- 关键词：AU接触特性I-V
- HgI2晶体气相生长动力学分析
- 2010年
- 为判定物理气相输运法生长HgI2晶体过程中自由碘的来源,利用平衡气压方程对生长体系中自由碘的形成动力学进行了分析.计算表明,随温度升高,气相体系中的总压增大.在生长温度范围内,HgI2是气相中的主要成分.气相中存在HgI2分解为Hg和I2的反应.对比分解的HgI2分压和总压可知,在约120℃时,体系中HgI2总压高于Hg和I分压约7个数量级,因此HgI2的分解量可以忽略.分析认为,晶体生长传质方式为HgI2分子传输过程.气相中的自由碘主要来源于晶体生长前的补偿碘.
- 李高宏许岗李焕勇介万奇
- 关键词：富碘
