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Cr掺杂SiC薄膜的制备与光致发光特性被引量：2: 2009年; 利用高纯SiC烧结靶上粘贴金属Cr片的复合靶用双离子束溅射沉积方法,在Si和KBr单晶衬底上制备了掺杂SiC薄膜。用傅里叶变换红外光谱分析法(FTIR)和喇曼光谱仪对制得的薄膜样品进行了表征,用荧光分光光度计对样品的光致发光(PL)特性进行了研究。通过FTIR分析得到对应于Si―C键的峰位没有发生明显改变而峰强随着Cr掺杂量的增加而降低,喇曼光谱分析发现Cr掺杂导致Si和C团簇的形成,说明Cr的掺杂阻碍了Si―C键的结合。将不同Cr掺杂浓度的SiC薄膜经1000℃退火处理,发现位于413、451和469nm的三个发光峰的位置基本不变,但强度有明显改变。; 朱小健洪波金成刚吴雪梅; 关键词：光致发光

厚度对掺铝氧化锌薄膜性能的影响被引量：2: 2012年; 室温下,采用射频磁控溅射法在单晶硅及石英片上沉积掺铝氧化锌(AZO)薄膜,所用靶材为掺杂Al2 O3的ZnO多晶烧结靶,其中Al2 O3所占质量百分数为2%,分别采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、霍尔效应测试系统和紫外可见分光光度计来研究不同的薄膜厚度对AZO薄膜结构、表面形貌、电学和光学性质的影响.结果表明:制备的AZO薄膜具有良好的c轴择优取向,同时随着薄膜厚度的增加,薄膜结晶性能变好,电阻率降低,可见光透过率减小.薄膜厚度为1 420 nm时具有最佳的光、电特性,其电阻率可降至4.2×10-3Ω.cm,可见光范围的平均透过率大于82%,且在600 nm波段的透过率高达92%.; 王岩岩吴明智俞友明王飞吴雪梅诸葛兰剑; 关键词：AZO 磁控溅射膜厚

绒面掺铝氧化锌透明导电薄膜研究进展被引量：3: 2010年; 绒面掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜由于电阻率低、在可见光区域透过率高、绒面结构能有效散射入射光,提高太阳电池光电转换效率,被广泛应用于太阳电池前电极。概述了绒面AZO薄膜的制备方法,重点介绍了磁控溅射技术沉积AZO薄膜后再进行湿法刻蚀制绒面方法,制备的样品呈现"坑状"或"类月球地貌"的绒面,并讨论了工艺对薄膜结构、光电性能和刻蚀行为的影响,最后介绍了绒面AZO薄膜在硅薄膜太阳电池中的应用,进一步降低生产成本和实现大规模产业化生产是绒面AZO薄膜的发展趋势。; 何晶晶吴雪梅诸葛兰剑葛水兵; 关键词：透明导电薄膜磁控溅射湿法刻蚀太阳电池

Room Temperature Ferromagnetism and Structure of Zn_(1-x)Cu_xO Films Synthesized by Radio Frequency Magnetron Sputtering: 2009年; Zn_(1-x)Cu_xO thin films were synthesized by the radio frequency (RF) magnetronsputtering technique using a ZnO target containing different pieces of small Cu-chips. X-raydiffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were employed to analyze the crystallineand microstructure of the fihn, and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used toestablish the bonding characteristics and oxidation states of copper inside the ZnO host. Roomtemperature (RT) ferromagnetism was observed in the Zn_(1-x)Cu_xO films by a Quantum Designsuperconducting quantmn interference device (SQUID) and the saturation magnetic moment ofthe films was found to decrease with the increase in Cu content.; 陈学梅诸葛兰剑吴雪梅吴兆丰; 关键词：射频磁控溅射铁磁性 X射线光电子能谱

Zn1-xCuxO薄膜的结构和光学性质被引量：5: 2008年; 采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si(111)和石英基底上成功的制备了Zn1-xCuxO薄膜,薄膜的晶体取向和表面形貌用X射线衍射(XRD)仪和扫描电子显微镜(SEM)进行测量。利用紫外-可见光(UV-vis)分光光度计来测量基片为石英的Zn1-xCuxO薄膜的透射光谱。实验表明,采用射频磁控溅射制备的掺Cu氧化锌薄膜具有(002)峰的择优取向。随着Cu掺入量的增加样品成膜质量降低,禁带宽度减小,透射率下降。; 王晓飞吴雪梅诸葛兰剑; 关键词：射频磁控溅射 CU掺杂氧化锌薄膜透射率光学带隙

双离子束溅射室温沉积生长SiC薄膜: <正>SiC作为一种优秀的微电子材料,以其禁带宽、饱和电子漂移速度大、临界雪崩击穿电场高和热导高的特点,在大功率、高频、耐高温、抗辐射器件及光电子集成器件方面具有重要的应用价值而备受重视。工艺上又可以与集成电路兼容,被期...; 金成刚吴雪梅诸葛兰剑; 文献传递

Cu掺杂浓度对ZnO薄膜的结构、透光性和电学性质的影响被引量：3: 2008年; 采用射频磁控溅射方法在导电玻璃和石英衬底上制备了未掺杂和不同Cu掺杂量的ZnO薄膜。XRD显示,适当的Cu掺杂增强了ZnO的(002)衍射峰的强度;用紫外分光光度计测量了样品的透光性,结果显示,随掺杂量的增加,其透光性减弱,但在Cu掺杂量为9.6%时其透光性还在60%以上。用四探针测量了样品的表面电阻率,薄膜的电阻率随Cu掺杂量的增加而增加。; 徐庆岩吴雪梅诸葛兰剑陈学梅吴兆丰; 关键词：CU掺杂 ZNO薄膜

CCP/ICP混合放电C_4F_8/Ar等离子体高、低频功率对AZO薄膜绒面效果的影响被引量：1: 2013年; 室温下,采用射频磁控溅射方法在石英基片上制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。利用CCP/ICP混合放电C4F8/Ar等离子体对制得的AZO薄膜进行绒面处理。利用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面形貌进行表征,利用光纤光谱仪分析放电产生的碳氟基团含量的变化。实验结果发现低频功率的增大能够有效增加等离子体中F原子的含量,进而提高薄膜的刻蚀效果,获得较好的绒面结构;但是高频功率变化对薄膜刻蚀效果影响较小。; 吴明智金成刚王飞黄天源吴雪梅诸葛兰剑; 关键词：AZO ICP 发射光谱

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国家自然科学基金(10575073)