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国家重点基础研究发展计划(G200036502)

作品数：2 被引量：5H指数：1
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇亚阈值
  • 1篇亚阈值特性
  • 1篇栅压
  • 1篇态密度
  • 1篇态密度分布
  • 1篇平衡态
  • 1篇子线
  • 1篇量子
  • 1篇量子线
  • 1篇格林函数方法
  • 1篇非平衡态
  • 1篇FET模型

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇余志平
  • 2篇邵雪

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇清华大学学报...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用
2007年
为了研究纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响,在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极-源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示:非对称栅压的控制方法使得器件具有动态可调的阈值电压,能够动态地适应高性能与低功耗的要求。通过优化栅极与源漏区的交叠长度可以降低栅极电容,从而提高器件的动态特性,提高电路的工作速度。
邵雪余志平
一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型被引量：5
2005年
提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显示纳米尺度的FinFET器件具有良好的开关特性和亚阈值特性.这个模型还能适用于量子线等其他三维结构的纳米器件.
邵雪余志平
关键词：非平衡态FET模型格林函数方法态密度分布亚阈值特性量子线
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共1页<1>
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