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国家自然科学基金(50772091)

作品数:6 被引量:13H指数:2
相关作者:傅莉任洁介万奇高俊宁查钢强更多>>
相关机构:西北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”中国博士后科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 3篇CDZNTE
  • 2篇引线
  • 2篇晶片
  • 2篇CDZNTE...
  • 1篇低能
  • 1篇形貌
  • 1篇氧离子
  • 1篇真空蒸发沉积
  • 1篇正交
  • 1篇正交实验
  • 1篇正交实验法
  • 1篇散射
  • 1篇射线
  • 1篇能量分辨率
  • 1篇离子
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇纳米
  • 1篇接触电极
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀工艺

机构

  • 6篇西北工业大学

作者

  • 5篇傅莉
  • 3篇介万奇
  • 3篇任洁
  • 3篇查钢强
  • 2篇高俊宁
  • 2篇王涛
  • 2篇徐亚东
  • 2篇聂中明
  • 1篇徐聪
  • 1篇白旭旭
  • 1篇孙玉宝
  • 1篇刘伟华
  • 1篇査钢强
  • 1篇周昊
  • 1篇查刚强

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料工程
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2008
6 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
Characterization of CdZnTe crystal grown by bottom-seeded Bridgman and Bridgman accelerated crucible rotation techniques被引量:2
2009年
The growth of CdZnTe crystals with diameter up to 60 mm using bottom-seeded Bridgman method as well as Bridgman accelerated crucible rotation technique (ACRT-B) was investigated. Both ingots exhibit high yields, where single crystal with the volume exceeding 200 cm3 is produced. The crystal properties of two ingots were compared in the aspects of yields, crystalline quality and composition uniformity. For CdZnTe ingot grown by bottom-seeded Bridgman method, the full width at half-maximum (FWHM) of X-ray rocking curve was determined to be 36″, indicating a better crystalline quality than ingot grown by ACRT-B method, which gave FWHM of 56″. The composition distribution of Zn and In in CdZnTe was determined by using electron probe microanalysis (EPMA) and inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS), respectively. The effective segregation coefficients of Zn kZn and In kIn in the two ingots were evaluated by fitting the experimental data with the Pfann equation.
王涛介万奇徐亚东查钢强傅莉
关键词:ACCELERATEDCRUCIBLEROTATIONTECHNIQUEBRIDGMANTECHNIQUE
CdZnTe平面探测器对低能X/γ射线的光谱响应被引量:6
2009年
基于3片不同条件下生长的CdZnTe晶片制备出平面电极(Planar)探测器CZT1、CZT2及CZT3。分析室温下3个探测器在不同场强作用下对低能X/γ射线的光谱响应,并结合相应晶体材料的载流子迁移特性和掺杂剂的浓度以及存在状态,归纳影响探测器分辨率的原因。掺杂In浓度高的探测器CZT1,由于材料中存在的深能级缺陷Cdi2+,作为电子的俘获中心,影响了载流子的收集效率,进而降低了探测器的能量分辨率;掺杂In浓度低的探测器CZT2对不同能量X/γ射线均具有较好的能量分辨率;而Al掺杂探测器CZT3,由于Al间隙原子Ali的存在作为电子的散射中心,最终影响了收集效率及能量分辨率。
徐亚东介万奇查刚强高俊宁王涛傅莉Paul Sellin
关键词:能量分辨率散射
真空蒸发沉积CdZnTe纳米薄膜的结构与形貌被引量:1
2010年
采用真空蒸发沉积技术在ITO玻璃上制备得到CdZnTe纳米晶薄膜,并利用台阶仪、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了CdZnTe薄膜厚度、成分、结构和形貌特征。实验结果表明,薄膜在(111)面表现出明显的择优生长特性。在薄膜生长初期,纳米薄膜中存在一定程度的非晶态富集Te,但随着沉积时间延长,薄膜成分向化学计量比逼近,结构也向闪锌矿CdZnTe转变。薄膜表面形貌平整,粗糙度Ra约为2~5nm。随着沉积时间的延长,薄膜形貌由晶粒堆砌状向多晶层片连接状转变。在沉积时间分别为15、30和45min时,薄膜的厚度依次分别约为100、300和500nm,而薄膜的晶粒平均尺寸依次分别为43.15、30.81和71.94nm。
周昊介万奇查钢强高俊宁
关键词:纳米形貌
CdZnTe表面处理对其引线超声焊接质量的影响
2008年
采用扫描电镜及EDS测试研究了高电阻CdZnTe金电极与外引线的超声焊接工艺,探讨了CdZnTe表面处理工艺、接触电极厚度及焊接参数对引线超声焊接质量的影响规律。研究结果表明,经机械抛光表面处理的CdZnTe晶片,其金电极与外引线间容易实现超声焊接;CdZnTe电极厚度与引线焊合率之间呈抛物线关系,获得最佳焊接质量的电极厚度为180nm左右。楔入压力和焊接功率是影响CZT金电极与引线焊接质量的重要因素,当焊接功率为2W、焊接压力为60×10-3kg、焊接时间20ms和烧球强度1.5W时,易获得良好的CdZnTe金电极与引线焊接接头。
聂中明傅莉任洁徐聪
关键词:CDZNTE晶片超声焊接表面处理
EPG 535光刻胶氧离子刻蚀工艺的研究被引量:1
2011年
采用反应离子刻蚀(RIE)技术,对EPG 535光刻胶和碲锌镉(CZT)基体刻蚀工艺进行研究,采用原子力显微镜(AFM)法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量,探讨了EPG 535光刻胶刻蚀速率和CZT基体表面粗糙度的影响因素。结果表明,当RF功率为60 W、氧气气压为1.30 Pa、氧气流量为40 cm3/min,光刻胶达到最大刻蚀速率;随着RF功率降低,刻蚀后CZT基体的表面粗糙度降低。实验优化的刻蚀参数为:RF功率40 W、氧气气压1.30 Pa、氧气流量40 cm3/min。
任洁傅莉孙玉宝査钢强
关键词:EPG刻蚀速率
室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及其器件制备
Cd1-xZnxTe(CZT)探测器被认为是目前最有前途的室温核辐射探测器之一,广泛应用于环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和高能物理等领域。然而,由于CZT晶体生长过程中Cd元素的...
王涛徐亚东查钢强刘伟华徐凌燕白旭旭傅莉介万奇
文献传递
CdZnTe接触电极与引线的超声波焊接被引量:3
2009年
为实现高电阻CdZnTe半导体(简称CZT)接触电极与外引线的超声波焊接,采用正交实验法探讨CZT接触电极与引线超声波焊接质量的影响因素及其作用规律。结果表明:经机械抛光表面处理的CZT晶片,采用离子溅射法制备的金电极与外引线间具有较高的超声波焊合率,能获得最佳焊点质量的电极厚度为180nm。此外,CZT接触电极制备工艺和楔入压力都是影响CZT接触电极与引线超声波焊接质量的主要因素,当CZT接触电极制备工艺确定后,楔入压力成为影响CZT接触电极与引线超声波焊接质量的主要因素,焊接功率则为次要因素。经优化后CZT接触电极与引线超声波焊接主要工艺参数为:一焊楔入压力0.882N;二焊楔入压力0.588N;焊接功率1.5W;焊接时间20ms。
聂中明傅莉任洁查钢强
关键词:CDZNTE晶片接触电极超声波焊接正交实验法
共1页<1>
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